CMOSデジタル回路 | yamaken.tokyonMOSトランジスタとpMOSトランジスタ 下図はnMOSトランジスタを模式的に表したものである。 ゲート部はMetal（導電体）- Oxide（酸化膜）- Semiconductor（半導体） という構造をとっており，この頭文字をとってMOSと呼ばれる。 通常の状態ではソース-ドレイン間に電流は流れないが、ゲートにある閾値以上の正電圧を加えた場合、ゲート直下のp型領域に電子が集まり、キャリアの通り道（チャネル）が形成され、ソース-ドレイン間に電流が流れる。 ここで，上図のようにn型のチャネル（多数キャリア：電子）が形成されるMOSトランジスタを「nMOSトランジスタ」、逆にp型のチャネル（多数キャリア：正孔）が形成されるMOSトランジスタを「pMOSトランジスタ」という。 下図はnMOSとpMOSの、デジタル回路における性質を表したものである。 デジタル回路では、nMOSは「ゲートにHを
