上海の復旦大学に所属する研究チームが、フラッシュメモリのデータ読み書き性能をピコ秒(1兆分の1秒)レベルまで高めたメモリデバイスを開発しました。「PoX」と名付けられたデバイスは400ピコ秒でのスイッチングが可能となっており、従来の世界記録を大幅に上回っています。 Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection | Nature https://www.nature.com/articles/s41586-025-08839-w Chinese researchers achieve making world's fastest flash memory device: Nature https://www.bastillepost.com/global/article/4760870-chin

