東芝 GaN on Silicon技術を米社から買収、白色LEDとGaNパワー半導体を強化へ東芝は2013年4月23日、米国のLED照明機器メーカーであるブリッジラックスから白色LEDチップ開発に関する資産を買収し、関連する同社研究開発部門の従業員（約40人）を受け入れると発表した。ブリッジラックスの白色LEDチップ技術は、シリコンウエハー上にGaN（窒化ガリウム）を結晶成長させる「GaN on Silicon技術」などの特徴を持ち、パワー半導体にも応用できるという。買収金額は「数十億円台後半」（東芝）とし5月中旬に買収を完了する見込み。 東芝とブリッジラックスは以前から、GaN on Silicon技術を使った白色LEDチップの共同開発を進め、2012年には東芝の半導体製造設備（200mmウエハー製造ライン）で同チップの量産を開始。同年12月には照明用白色LEDチップを発売していた。今回の買収により、ブリッジラックスのGaN on Silicon技術を東芝内に取り込み、東芝の半
