Electron mobility versus temperature for different doping levels. 1. High purity Si (Nd< 10-12 cm-3); time-of-flight technique (Canali et al. [1973]) 2. High purity Si (Nd< 4·10-13 cm-3): photo-Hall effect (Norton et al. [1973]) 3. Nd= 1.75·1016 cm-3; Na = 1.48·1015 cm-3; Hall effect (Morin and Maita [1954]). 4. Nd= 1.3·1017 cm-3; Na = 2.2·1015 cm-3; Hall effect (Morin and Maita [1954]).
■計算例 オームの法則 合成抵抗 抵抗のワースト値 抵抗分割電圧 合成コンデンサ セラミックコンデンサのワースト値 電解コンデンサのワースト値 電解コンデンサの寿命 スイッチング電源によるリプル電流 コイルのワースト値 RC/CR/LCRカットオフ周波数 共振周波数 電波の波長 FR-4での波長 矩形波高調波計算 実効値計算 基板上の信号の波長 重ね合わせの理 RC充放電電圧 コンパレータのヒステリシス 反転増幅回路増幅率 反転増幅回路誤差 非反転増幅回路増幅率 非反転増幅回路誤差 ■本サイトのコンセプト 本サイトは電子回路設計に関わる仕事を始めたばかりの方を対象に,"インターネットで公開されているけれど,知らないと辿り着くまでに時間がかかる技術情報"を主に扱います. ■メールマガジン(リマインドメール)登録 本メルマガは週に1度,ひよっこハード屋.comの記事を乱数によりランダムに選択し
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