バンド理論 - Wikipedia
固体物理学における固体のバンド理論（バンドりろん、英: band theory）または帯理論とは、結晶などの固体物質中に分布する電子の量子力学的なエネルギーレベルに関する理論を言う。1920年代後半にフェリックス・ブロッホ、ルドルフ・パイエルス、レオン・ブリルアンらによって確立された[1]。なお、価電子帯の最高部（英: valence band maximum, VBM）と伝導帯の最低部（英: conduction band minimum, CBM）とのエネルギー差をバンドギャップといい、価電子帯での電子が占める最高エネルギー準位をフェルミ準位という 概要[編集] 量子力学によると、束縛状態の電子が取りうるエネルギー準位は、特定の準位のみに限定され飛び飛びに（離散的に）なる。しかし、固体中の外殻電子は、隣接する原子の電子との相互作用によって、電子の取りうるエネルギー準位の幅が広がって連続
バンドギャップ - Wikipedia
バンドギャップ（英語: band gap、禁止帯、禁制帯）とは、広義の意味は、結晶のバンド構造において電子が存在できない領域全般を指す。 ただし半導体、絶縁体の分野においては、バンド構造における電子に占有された最も高いエネルギーバンド（価電子帯）の頂上から、最も低い空のバンド（伝導帯）の底までの間のエネルギー準位（およびそのエネルギーの差）を指す。 E-k空間上において電子はこの状態を取ることができない。バンドギャップの存在に起因する半導体の物性は半導体素子において積極的に利用されている。 半導体のバンド構造の模式図。Eは電子の持つエネルギー、kは波数。Egがバンドギャップ。半導体（や絶縁体）では「絶対零度で電子が入っている一番上のエネルギーバンド」が電子で満たされており（価電子帯）、その上に禁制帯を隔てて空帯がある（伝導帯）。 金属、および半導体・絶縁体のバンド構造の簡単な模式図(k空間
asahi.com（朝日新聞社）：インテル、3次元構造を採用した22nmプロセスの新型トランジスタを実用化 - e-ビジネス情報（提供：ＢＣＮ） - デジタル
米インテルは、5月4日、「トライゲート」と呼ばれる3次元構造を採用した世界初となるトランジスタの実用化を発表した。22nmプロセス技術によって量産するマイクロプロセッサ「Ivy Bridge」（開発コード名）で、トライゲート技術を用いたトランジスタを利用する。 2002年に初めて公開された3次元トライゲート・トランジスタは、低電圧・低リーク電流のマイクロプロセッサ動作を可能にした。22nmプロセス技術による3次元トライゲート・トランジスタは、従来の32nmプロセスによるプレーナー型トランジスタと比較して、低電圧でパフォーマンスが最大37％向上する。 3次元トライゲート・トランジスタは、従来の平面的な2次元構造のプレーナー型ゲートに代わって、非常に薄い3次元構造のシリコンのフィンが、シリコン基板から垂直に立っている。電流の制御は、2次元プレーナー型トランジスタの上面の一つのゲートだけでな
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