IBMが、MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)技術からTT-RAM(spin torque transfer RAM)技術に関心を移している。 IBMは、ハードディスク用磁気記録コンポーネントを得意とするTDKと提携して、STT-RAMの開発を進めている。STT-RAMでは、微細な磁石に一定方向の電子スピンをもつ電流を流し、記録層の磁化の方向を変える。磁化の方向(上下、または左右)に応じて抵抗値が変わることから、抵抗値の大小に「1」または「0」を割り当ててデータを保存することができる。 現在の計画では、IBMとTDKは65ナノメートルプロセスの試作品を4年以内に開発することになっている。 シリコンバレーの新興企業、Grandisも、STT-RAMの製品化を目指している。Grandisは現在、既存の施設で潜在顧客向けのサンプルを製造中で、20
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