NEDO技術開発機構は、キヤノンと共同開発した小面積露光装置※2(以下、SFETと表記)で、回路線幅26nmを解像する世界トップレベルの性能を実証しました。これにより、SFETはEUV露光技術開発プロジェクトにおいて、マスク開発、レジスト評価、およびEUV光源・投影光学系評価の強力なツールとして活躍が期待されます。今後、上記プロジェクトでは、半導体の高性能化の進展に伴い直面しつつある微細化加工の限界・マスクコストの上昇という問題を打破すべく、実用化開発を加速させてまいります。 記 研究開発の背景 半導体LSIの微細化は、これまで3年で4倍の集積度を実現するピッチで進展し、2020年頃までこのペースで進むと予想されます。これまで微細化を推進してきた光リソグラフィは、45nm以細の技術領域では、従来の微細化手法が限界に達すると予測されており、これに代わる新たなリソグラフィ技術として、露光波長