ラピダスが記者会見で披露したシリコンウエハー。左から同社の東哲郎会長、小池淳義社長、鈴木直道知事、横田隆一千歳市長=18日午前11時50分、千歳市(石川崇子撮影) 【千歳】次世代半導体の量産を目指すラピダス(東京)は18日、千歳市の第1工場で進める回路線幅2ナノメートル(ナノは10億分の1)級半導体の試作を巡り、電気信号を制御するスイッチに当たる基幹部品「トランジスタ」に「GAA(ゲート・オール・アラウンド)」と呼ばれる最新技術を適用し、正常な動作を確認したと発表した。小池淳義社長は同市内で記者会見を開き、「日本初で画期的なことだ」と強調。顧客候補などを招いた説明会も開き、試作の成功を報告した。
