超高速DRAM技術「HBM」の基礎
DRAMについて知っておくべき4番目の事実 国際会議「IEDM」のショートコースで英国ARM Reserch社のエンジニアRob Aitken氏が、「System Requirements for Memories（システムがメモリに要望する事柄）」と題して講演した内容を紹介するシリーズの第11回である。 前回は、DRAMについて知っておくべき4つの事実の中で、始めの3つを解説した。今回は、4番目の事実を説明しよう。 DRAMについて知っておくべき4番目の事実とは、「3次元（3D）技術はDRAM開発にとって援軍ではあるが救世主ではない」ことである。それでは、何にとっての援軍か。3番目の事実で述べたDRAM開発の限界を突破するための援軍である。 次世代のシステムでは、現在のシステムが搭載するシリコンダイよりも性能を高めた、新たなシリコンダイを採用したい。具体的には、「（性能/消費電力）／コス
最先端プロセスでも歴然の差！ チップ面積は半導体メーカーの実力を映す鏡
2018年後半、Appleは「iPhone XS」など複数機種で新プロセッサ「A12 Bionic」を活用した。A12 Bionicは、TSMCの7nmプロセスを用いて製造し、大幅に機能を強化した。Appleが7nmプロセスのA12 Bionicを活用し始めた直後にはHuaweiおよび、HiSiliconが新プロセッサ「Kirin980」を発表し、2018年年末モデルの「Mate20 Pro」から採用を開始した。Kirin980もA12 Bionicと同じTSMCの7nmプロセスを用い、CPUやGPUに加えてAI（人工知能）用のアクセラレーターの規模／性能もそれまでのプロセッサに比べ著しく高めた。これが7nm世代プロセッサの第1陣である。 スマートフォン・プラットフォームを主として提供するQualcommやMediaTekは、Kirin980やA12 Bionicの登場時点では7nm世代プ
1
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
処理を実行中です
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
