【イベントレポート】 東芝メモリ、DRAMと同等性能のSSDを披露
スピン注入式の新型MRAMがいよいよ製品化、2015年にはギガビット品が登場へ
スピン注入式の新型MRAMがいよいよ製品化、2015年にはギガビット品が登場へ：メモリ/ストレージ技術 DRAMに近い高速性と書き換え耐性が得られる次世代不揮発メモリとして注目されるMRAM。これまでに製品化されていたトグル方式のMRAMは記憶容量に制約がありDRAMを置き換える応用は難しかった。この状況が変わる。大容量化の有力手段として期待がかかるスピン注入方式を使った、新型MRAMの製品化が始まった。 次世代の不揮発性メモリの1つMRAM（Magnetoresistive RAM：磁気メモリ）は、揮発性メモリであるDRAMに近い高速性と書き換え耐性を得られることから注目を集めている。製品化で先行するのが米国のアリゾナ州に本社を置くEverspin Technologiesだ。同社はFreescale Semiconductorが手掛けていたMRAM事業を2008年6月に分社化して誕生し
10億IOPSの新技術「Auto Commit Memory」に見るコンピュータの展望
先日、Publickeyにて"Fusion-io、10億IOPSの新技術「Auto Commit Memory」発表。ストレージなんてレベルじゃない、パーシステントなメモリだ"という記事が紹介された。10億IOPS！なんていうと、普段ITに携わっている人間としては信じがたい数字であり、思わず眉にたっぷり唾を塗って身構えてしまう。その一方で、「あのFusion-IOならやりかねない」という淡い期待も抱かずには居られない。記事を読んだところ、既存のioDrive2 Duoを使い、ソフトウェアで10億IOPSを達成したとのこと。同じハードウェアなのにいきなり性能が飛躍的に向上した！というのもにわかには信じがたい。一体どういうことだろうか？と色々考察したことをまとめてみた。（あくまでも筆者の考察および推測であるという点はご理解頂きたい。） どのようなソフトウェアだろうか？Auto Commit M
Thunderbolt™ Technology: A Universe of Possibilities
Thunderbolt™ Technology: The Fastest, Simplest, and Most Reliable USB-C Connection1 Thunderbolt™ technology offers a best-in-class set of capabilities to deliver the simplest, most reliable, and fastest cable solution available for connecting to power and your favorite accessories. Thunderbolt™ Technology: Revolutionary Connectivity Thunderbolt™ technology is more than a USB-C connector. Although
書き込み速度が約1万倍の「次世代メモリー」開発へ、待機時の消費電力もほぼゼロに
従来のNAND型フラッシュメモリーの約1万倍の書き込み速度を実現する「次世代メモリー」の開発が開始されることが明らかになりました。 実現すれば今までとは比べものにならないほどの速度でデータを書き込みできるようになるだけでなく、待機時の消費電力もほぼゼロになるため、スマートフォンをはじめとしたモバイル機器での大きな活躍を見込むことができます。 詳細は以下から。 エルピーダ、シャープや東大らと次世代メモリー開発 - MSN産経ニュース 産経新聞社の報道によると、エルピーダメモリとシャープ、東京大学などが書き込み時間を大幅に短縮できる不揮発性の「次世代メモリー」を共同開発することが明らかになったそうです。 開発が開始されるのは電圧でデータを書き換えるため電流が微量で済み、消費電力が小さいとされる抵抗変化型メモリー「ReRAM」で、携帯情報端末などに用いられているNAND型フラッシュメモリの約1万
電池の＋と－を気にせず入れられる技術、Microsoftが発表
米Microsoftは7月1日、電池の向きを気にしないで電子機器に入れられる技術「InstaLoad」を発表した。 通常、電池は＋極と－極を決まった向きにして入れなければならないが、InstaLoadを使えば、どちらの向きに電池を入れても機器が動作するようになる。この技術は、単1電池～単4電池、CR123など一般的な電池を使う懐中電灯や玩具、充電器などで使用できる。 手早く簡単に電池の入れ替えができ、複数の電池をつかう機器や、頻繁に電池の入れ替えが必要な機器で役に立つ。Microsoftはこの技術をデバイスメーカーにライセンス供与する。既に電池メーカーのDuracellなどがこの技術を支持する意向を示している。
Bluetooth新仕様、2009年半ばにリリース--さらなる高速化を実現
IMS Researchのアナリストによると、Bluetooth Special Interest Group（SIG）は、Bluetoothの新バージョンを、2009年半ばにリリースする予定であるという。このバージョンは、暫定的に「Bluetooth 2.2」と呼ばれ、前バージョンと比較して、より高速な転送速度を実現するという。 新たな「High Speed Bluetooth」仕様は、データ転送レートを向上させるため、無線LANやウルトラワイドバンド（UWB）と連動し、それぞれ「Bluetooth 10x」または「Bluetooth 100x」としても知られている。ワイヤレス動画ストリーミングやワイヤレス印刷など、さまざまな新サービスの実現が期待されている。Bluetooth 2.2に対応するには、携帯電話に、無線LANまたはUWB機能が備わっている必要がある。現在、多くの携帯電話に無
バッテリー駆動時間を10倍にする技術、米大学が開発
米スタンフォード大学の研究者が、リチウムイオンバッテリーの駆動時間を10倍にする技術を発見したことを明らかにした。 この技術は、同校の材料科学工学助教授イー・クイ氏が発見したもので、シリコンナノワイヤを使って、既存のリチウムイオンバッテリーの10倍の電気を生み出す。例えば、今のバッテリーで2時間動くノートPCは、この技術を使ったバッテリーでは20時間動くという。 クイ氏によると、リチウムイオンバッテリーの電気蓄積量は、バッテリーのアノード（陰極）にどのくらいのリチウムを保持できるかによって決まる。アノードはたいてい炭素でできている。シリコンなら炭素よりも多くの電気を蓄積できるが、充電中に膨張し、電気を使用している間に縮小するために、壊れたり性能が落ちるという欠点があるという。 だが同氏のバッテリーは、ナノテクノロジーを使ってこの問題を回避する。このバッテリーは、リチウムを微細なシリコンナノ
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