【福田昭のセミコン業界最前線】 3D XPointを超える大容量メモリ技術「セレクタオンリーメモリ」
混載MRAMの書き換えエネルギーを72％削減、ルネサス（EE Times Japan） - Yahoo!ニュース
混載MRAMは、書き換えエネルギー、書き換え速度ともに混載フラッシュメモリよりも向上する 出所：ルネサス エレクトロニクス ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）を省エネルギーかつ短い電圧印加時間で書き換えられる技術を開発した。2021年12月11～15日に米カリフォルニア州サンフランシスコで開催された「2021 IEDM」で発表されたもの。IoT（モノのインターネット）向けマイコンの混載MRAMに同技術を適用することで低消費電力化を狙う。なお、今回ルネサスが発表したのはMRAMそのものではなく、混載MRAMに適用するための回路技術である。 スロープパルス方式では印加電圧を高くしていくのでメモリセル電流も増加し、低抵抗状態への遷移を正確に検知できるようになる［クリックで拡大］ 出所：ルネサス さらなる低消費電力化
産総研、タンタル層の挿入で「電圧駆動磁気抵抗メモリ」の磁気安定性を改善
産業技術総合研究所(産総研)は7月21日、原子層レベルで制御されたタンタルを用いることで、「電圧駆動磁気抵抗メモリ」の磁気安定性を飛躍的に改善する技術を開発したと発表した。 同成果は、産総研 新原理コンピューティング研究センター 不揮発メモリチームの山本竜也研究員、同・野﨑隆行研究チーム長らの研究チームによるもの。詳細は、無機材料を扱う学術誌「Acta Materialia」にオンライン掲載される。 次世代不揮発メモリとして期待されるMRAMは、膜厚が数nmの磁石/絶縁層/磁石からなる構造の「磁気トンネル接合(MTJ)素子」からなる記憶素子への情報書き込みに電圧駆動MRAMを使用すれば、現在主流のSTT-MRAMと比べてさらに数桁駆動電力を下げることが可能となると考えられており、その実用化に向けて、磁気安定性および制御効率のさらなる改善が進められている。 産総研でも長年にわたって研究開発が
米国のルネサスが販売している8MビットのSTT-MRAM
米国のルネサスが販売している8MビットのSTT-MRAM：福田昭のストレージ通信（194） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（21）（1/2 ページ） MRAMとSTT-MRAMの製品化事例を報告 フラッシュメモリとその応用に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」が2020年11月10日～12日に開催された。FMSは2019年まで、毎年8月上旬あるいは8月中旬に米国カリフォルニア州サンタクララで実施されてきた。COVID-19（新型コロナウイルス感染症）の世界的な大流行（パンデミック）による影響で、2020年のFMS（FMS 2020）は開催時期が3カ月ほど延期されるとともに、バーチャルイベントとして開催された。 FMSは数多くの講演と、展示会で構成される。その中で、フラッシュメモリを含めた不揮発性メモリとストレージの
SamsungのEUV適用D1z世代のDRAMを分析
Samsung Electronics（以下、Samsung）がついに、ここ数カ月にわたり待望されていた、EUV（極端紫外線）リソグラフィ技術を導入した「D1z」プロセスのDRAMの量産を開始した。同社は2020年初頭に、「業界初」（同社）となるArF液浸（ArF-i：ArF immersion）ベースのD1z DRAMと、EUVリソグラフィ（EUVL）適用のD1z DRAMの両方を開発すると発表していた。 EUV適用「D1z」世代のDRAM Samsung Electronics（以下、Samsung）がついに、ここ数カ月にわたり待望されていた、EUV（極端紫外線）リソグラフィ技術を導入した「D1z」プロセスのDRAMの量産を開始した。同社は2020年初頭に、「業界初」（同社）となるArF液浸（ArF-i：ArF immersion）ベースのD1z DRAMと、EUVリソグラフィ（EUV
全固体リチウム電池を応用した情報メモリ素子を開発：超低消費エネルギー化と多値記録化に初めて成功 省エネルギーコンピューティングに向けた大きな一歩
要点 全固体リチウム電池を応用したメモリ素子を開発し、超低消費エネルギー動作に成功 3つの異なる電圧を記録する3値記録メモリとしての動作を実現 開発したメモリ素子の特徴が、酸化ニッケルとリチウムの反応に起因することを確認 概要 東京工業大学 物質理工学院 応用化学系の一杉太郎教授、清水亮太助教、渡邊佑紀大学院生（修士課程2年）らは、東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻の渡邉聡教授らと共同で、全固体リチウム電池と類似した薄膜積層構造を持ち、超低消費エネルギーと多値記録を特徴とするメモリ素子の開発に成功しました。 コンピュータの利用拡大とともにエネルギー消費量は増大し続けており、半導体素子の消費エネルギー低減は喫緊の課題です。研究グループは、全固体リチウム電池の構造と動作メカニズムに注目し、情報を電圧として記憶する低消費エネルギーの電圧記録型メモリ素子の開発に取り組みました 本研究
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