【福田昭のセミコン業界最前線】 1mm角のシリコンに15Gbitを詰め込む超々高密度の3D NANDフラッシュ技術
インテル、1Uで容量1ペタバイトのSSD「Intel SSD D5-P4326」発売。QLC（1セルあたり4ビット）と64層の3D NAND技術を用いて大容量SSDを実現
このように1Uに高密度で搭載することで1ペタバイトの実装が可能。Intel SSD D5-P4326の記憶媒体としては、1セルあたり4ビットの記憶容量を持つQLC（Quad Level Cell）と、64層の3D NAND技術を用いたNAND型フラッシュメモリを採用。 QLCによってセルあたりの情報密度を高めた上に、それを64層分積み上げることで、大幅な大容量化を実現しています。 ただしQLCは読み書きの速度がそれほど速くないため、インテルはこの「Intel SSD D5-P4326」がウォームストレージ、つまり頻繁に読み書きが発生するため高速なアクセスが求められるホットストレージと、大容量データの長期保存が求められるアーカイブ向けのコールドストレージの中間的な役割として使われることを想定しています。 インテルはまた、2.5インチフォームファクターの「Intel Optane SSD DC
東芝メモリ社長が語った超高層3D-NAND実現に向けたポイント
東芝メモリの代表取締役社長である成毛康雄氏は、昨年12月に東京都内で開催されたSEMICON Japan 2018の半導体エグゼクティブフォーラムの基調講演にて「東芝メモリの事業戦略」と題して講演し、「技術開発を加速するとともに、需要拡大を見据えた生産能力を確保し、フラッシュメモリ市場拡大を目指す」と述べたが、その一方で「製造面では、3D-NANDの高層化に伴い、深いメモリホールの形成が一番のポイントだが、加工が難しくなってきており、その課題解決のために、製造装置メーカーとのさらに密接なコラボレーションが必要である」との見解を示した。 NANDの市場拡大は今後も継続 成毛氏は、過去の生産状況を振り返り、「東芝グループの半導体メモリ事業の売上高は、2001年には1510億円だったが、2017年には1兆2049億円へと8倍ほどの増加となった。その2017年には64層の3D-NANDの量産を開始
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