【福田昭のセミコン業界最前線】 Intelが世界最高密度の3D NANDフラッシュを試作～国際メモリワークショップ(IMW) 2020レポート

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vcc IntelとMicronはFG方式を採用している。3次元に移行したとき、他のメーカーはCT技術を採用。メモリスルーホール製造はCTの方が簡素。FGはデータ保持特性と高温特性、制御性が良好。

2020/11/18 リンク

Barton QLCからPLCか……。しかしそんなに密度上げちゃって、書き換え耐用の方が気になる。SLCが安くなるのではなく、高密度化になるとはなあ…

2020/06/01 リンク

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