ベルギーimecは、200mmシリコン基板上のp-GaN HEMTベースの200V GaN-on-SOIパワーICプラットフォーム上に高性能ショットキーバリアダイオードと空乏モードHEMTをモノリシックに集積することに成功したと発表した。 現在のGaNパワーエレクトロニクスは、スイッチング信号を生成する外部ドライバICによって駆動されるディスクリートコンポーネントによって支配されているが、高速スイッチング速度を最大限に活用するには、GaNパワーデバイスとドライバ機能のモノリシックな集積が必要とされている。今回の取り組みにより、複数のコンポーネントをGaN ICに追加することができるようになり、チップ設計に際してGaN ICの機能拡張を図れ、より小型かつ効率的なDC/DCコンバータとポイントオブロードコンバータへの道を開くとimecは説明している。 imecのGaNパワーシステム開発担当ディ
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