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彼らがあのツイートに怒った本当の理由：日経ビジネスオンライン
冒頭のイラストは、年賀の挨拶を兼ねている。さよう、賀詞兼任コラム。二兎を追う形だ。 ご存知の方もあるだろうが、私は虚礼廃止の建前を貫徹すべく、この十年来、郵便局経由のリアルな年賀状を廃絶している。 そのくせ、生来の小心ゆえ、返事を書かずにいることに毎年心を痛めている。今年は「年賀状の返事を書かない件についてのお詫びのハガキ」を投函しようとさえ考えたほどだ。最後まで迷った。うむ、本末転倒。 ん？ 不義理を気に病むぐらいなら、変な意地を張るのはやめたらどうだ、と？ お言葉痛み入る。私は素直に年賀状を書くべきなのかもしれない。 でも、それができないのが偏屈者の宿命で、素直になったら今度はコラムが書けなくなる。ダブルバインド。因果な稼業だ。 イラストのもうひとつの意味は、お察しの通り、麻木スキャンダルだ。いさぎよくなき二兎なるウサギ。具体的に申せば、麻木久仁子さんと大桃美代子さんおよび山路徹氏（以
すｚのAVR研究: wii 用 bluetooth モジュール
Wii 用の bluetooth モジュール J27H002 が、dealextreme で 7.75 ドルで買えることを知った。 ちゃんと認可を受けているようだし、インターフェイスは たぶん UART だし 電子工作で使えると嬉しい。ちなみにサイズは、2.6cm x 1.8 cm だそうだ。 focalprice のほうは、6.47 ドルだった。 3 つ買えば単価が 5.57 ドルまで下がるし。 ちょっと調べてみると、Wii のモジュールは もともとは ミツミの WML-C43 だったらしい。それの後継品か互換品か知らないが 信号やプロトコルは互換性があるのだろう。 WML-C43 の場合 テスト用のパッド が 8 つだから 信号線は全部で 8 つなのだろう。J27H002 もシールをめくれば テスト用のパッドが見えてきそうな感じがある。 -- 入手した。シールの下には 予想どおり に
トランジスタ回路の基本設計法
トランジスタ回路の基本設計法 ICが全盛の時代ですが、トランジスタもちょっとしたドライブなど使われる 場合もまだ多く残っています。 われわれアマチュア工作でも簡単な回路 で増幅やドライブ回路が構成できるので、まだまだ現役で使うことが多く あります。 ここでは、難しい論理的な話は抜きにして、動作させるために必要なことを 説明します。 【トランジスタの規格】 規格表の見方は別ページにありますのでそちらを参考にして頂くとして、 規格で大切なポイントは下記４点となります。 (1) 何ボルトまで使えるか コレクタ・エミッタ間最大定格電圧（Vceo)で見ます。 実際には、これの１／２以下の電圧で使うようにします。 (2)何アンペアまで流せるか これは２つの観点から考えます。 まず コレクタ最大定格電流（Ic) は絶対超えられない値です。 これも実際の使用では。１／２以下で使います。 もう一つは、最大全
モータドライブ編
モータードライブの基本的考え方 専用ICを使う場合 ﾘﾚｰを使う場合 ﾘﾚｰとその他の組み合わせ バイポーラトランジスタを使う場合 FETを使う場合 FETでPWM掛ける場合の注意 Pch-FETを使わずNchのみで構成する場合 東北の方のﾃﾞﾑﾊﾟの学生の場合 モータードライブの基本的考え方 基本編は役に立つか微妙な書き方してたのでモータドライブ編は真面目にｷｿから書きますか( ﾟ∀ﾟ)因みにこの辺はﾛﾎﾞｺﾝで一般的に使うであろうと思われるDCﾓｰﾀに限って説明します。ｽﾃｯﾋﾟﾝｸﾞﾓｰﾀとかそう言うの使いたい人は他のｻｲﾄを（ｒ まずﾓｰﾀﾄﾞﾗｲﾌﾞとは何ぞや？というところから。 ﾓｰﾀﾄﾞﾗｲﾌﾞとは文字通りﾓｰﾀを回すことです。DCﾓｰﾀってのは電流流してやれば回転するというひっじょーに解りやすいﾃﾞﾊﾞｲｽです。よって最も簡単なﾓｰﾀﾄﾞﾗｲﾌﾞは以下のようになります。 誰
トランジスターの仕組み - MOSFET がスイッチとして動作する仕組み
マイクロプロセッサーなどの集積回路には、MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) と呼ばれるトランジスターが用いられています。MOSFET は、外部から電圧を加えることで電流の流れを制御するトランジスターのことです。構造が単純で集積させやすく、小さな電力で動作します。MOSFET には、電流の入口となるソース、出口となるドレイン、電流の流れを制御するゲートという 3 つの金属電極があります。ゲートにかける電圧を制御することで、ソースとドレイン間の電流を流したり、止めたりします。 MOSFET では、ソースとドレインに同じ性質を持つ半導体、ゲートの真下にあるチャネル領域にその反対の性質を持つ半導体を配置します。例えば、n 型と呼ばれる MOSFET は、ソースとドレインに自由電子を多く含む半導体 (n 型半導体) 、
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