発表・掲載日:2002/09/13 カーボンナノチューブを用いた量子効果ナノデバイスの集積化技術を開発 -従来の半導体集積回路技術で作製を可能とし、特性が1000倍向上- ポイント 量子効果ナノデバイス(単一電子トランジスタなど)の大量生産はこれまで不可能だった 従来のナノ加工技術を用いずにカーボンナノチューブの微細性とフォトリソグラフィー技術の量産性を組み合わせて実現 室温では従来不可能であった大気中や溶液中における単一の電荷の検出が可能 従来の半導体集積回路技術で作製し、単一電子トランジスタの電流密度を従来比で1000倍向上 量子相関素子の実現や超高密度メモリへの応用、DNA・蛋白質等を高感度検知するバイオ応用などに大きく貢献する技術 独立行政法人産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】(以下「産総研」という)ナノテクノロジー研究部門【部門長 横山 浩】の 松本 和彦 総括研究員は、科
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