プロセッサの性能向上は、半導体製造技術の進歩によって、より微細なトランジスタや配線ができるようになったことが一番の原因である。プロセッサで用いられている「MOSトランジスタ」のON/OFFを切り替えるために、入力端子につながっているゲートキャパシタ(コンデンサ)中に電荷を充電ないし放電しているわけだが、ゲートキャパシタの充放電はさらに1つ前の段のトランジスタをONすることで行っている(ドミノ倒しを想像するとよい)。より微細な(専門用語では、ゲート長の短かい)トランジスタを作製することで、電流駆動能力が向上すると同時に駆動するべきゲート電荷量が減少するので、結果として充放電速度が向上するという仕組みである。 充放電速度が速くなれば、プロセッサのクロックを高めることができるので、筆者が小学生のころは数MHzがせいぜいだったクロック周波数は文字通り加速的に向上し、Pentiumの登場で100
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