DDR3 SDRAM - Wikipedia
PC3-10600 DDR3 SO-DIMM (204 pins) DDR3 SDRAM (Double-Data-Rate3 Synchronous Dynamic Random Access Memory) は半導体集積回路で構成されるDRAMの規格の一種である。 2007年頃からパーソナルコンピュータの主記憶装置などに用いられるようになり、2010年後半まで市場の主流として各種デバイスで用いられた。スマートデバイスなどの組み込み向けとしても、2013年以降の高性能品（ARM Cortex-A15など）に使われるようになった。インテルはNehalemマイクロアーキテクチャ（2008年）から使用している。 DDR3 SDRAMの規格として以下が定義されている。 DDR3 SDRAMのメモリにはチップ規格とモジュール規格の2つの規格が存在している。チップ規格はメモリチップの最大動作周波数を
DDR3 SDRAM 新機能の説明 - J1503E10.pdf
FBGA and Part Marking Decoder Due to space limitations, FBGA-packaged components have an abbreviated part marking that is different from the part number. Use our decoder tool to find your part number. Learn more About Micron Insight Micron Insight brings you stories about how technology transforms information to enrich lives. Learn, imagine, innovate, solve, and gain insight on the technology tren
ページが見つかりません | 日本HP
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【レポート】メモリ技術解説(4) パケット方式を採用、Direct RDRAM | ネット | マイナビニュース
○Direct RDRAM Direct RDRAMは「Direct Rambus」と呼ばれるパケット方式の外部インタフェースを採用したDRAMである。SDRAMでは基本的にRAS、CAS、データラインの3つの信号を制御することでアドレッシングが行なわれるが、Direct RDRAMではこの3つをロウパケット、カラムパケット、データパケットとして、コマンドおよびデータのやりとりを実現している。このパケット化は、少ないポートでデータ幅を拡張できるというメリットがある。 次の図のように、SDRAMではデータ幅が固定されているため、1つのメモリモジュールであるDIMM上のチップ毎にデータラインが存在し、これを合わせて64ビットまたは128ビットのデータバスを構成している。またコントローラ側から見ると、制御ラインもDIMM毎に用意する必要がある。 SDRAMの信号ライン 一方、Direct RDR
【レポート】メモリ技術解説(3) DDR IからDDR IIへ、DDR-SDRAM | ネット | マイナビニュース
○DDR-SDRAM 「SDRAMをもっと高速に」という要求は当然のごとく生まれたが、半導体プロセスは急速には進歩しない。そこで考え出されたのが「DDR-SDRAM(Double Data Rate SDRAM)」である。 現状の半導体プロセスでは、DRAM内部の動作クロックは100MHz程度が限界である。SDRAMはこの内部動作クロックにインタフェースの動作クロックを併せたものであるが、データのやりとりを行なうインタフェース部分は、ラッチとバッファで構成されるだけなので高速動作が可能である。DDR-SDRAMはこの考えをもとに、内部速度はそのままでインタフェースの動作クロックを向上させたものである。 DDR-SDRAMは、すでに販売されている第一世代のDDR Iと2003年より販売が開始される第2世代のDDR IIがある。 ・DDR I DDR-SDRAMの大きな特徴として挙げられるのは
【レポート】メモリ技術解説(2) 同期動作で高速化、SDRAM | ネット | マイナビニュース
次に記憶の保持であるが、DRAMはその構造上、キャパシタに蓄えた電荷が自然に消滅してしまうという弱点がある。次の図はDRAMのセルのFET(MOSFET)を詳しく表したものである。 電荷のリーク MOSFETはGNDに接続されたP型半導体をベースに、ソース、ドレインにあたるN型半導体、ゲートにあたる酸化膜により構成されているが、N型半導体に存在する電荷はP型半導体に接続されたGNDに微小ながら流れ出してしまう(放電する)という特性がある。したがってキャパシタの端子間電圧は徐々に低下してしまう。そのためDRAMでは記憶を保持するためにリフレッシュというキャパシタの端子間電圧を復帰させる作業を定期的に行なってやる必要がある。 リフレッシュは前述のリード動作の1.から4.と同じ処理で行なわれる。非同期DRAMは次のインタフェースで構成される。 非同期DRAMのインタフェース(2M×8ビット＝16
【レポート】メモリ技術解説(1) メモリの基本、SRAM/DRAM | ネット | マイナビニュース
マイクロプロセッサは相変わらず、ほぼムーアの法則通りに18カ月で2倍の処理能力向上を実現しており、これが我々のパソコンの利用環境をより簡易で無駄の無いものに引き上げてくれている。ただ、マイクロプロセッサだけがいくら進化しても、コンピュータとしてのトータルパフォーマンスを上げることはできない。コンピュータとしてのトータルパフォーマンスを向上させるためには、メモリの高速化、外部機器とのインタフェースの高速化、外部機器の処理性能の向上などが必要である。 その中で特に重要なのが、メモリ(RAM)の高速化である。パソコンなどの情報処理装置の場合は、補助記憶装置からOSや各種のプログラムをメインメモリにロードし、そこから命令をマイクロプロセッサに渡すことで処理が実行されるわけであるから、いくらマイクロプロセッサが高速であっても、メモリが遅くては一向に処理は進まない。また現在のように、仮想記憶によるマル
Dynamic Random Access Memory - Wikipedia
マイクロン・テクノロジ社のMT4C1024 DRAM 集積回路のダイの写真。容量は1メガビット(ビット または 128 kB)[1] Dynamic Random Access Memory（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム）は、コンピュータなどに使用される半導体メモリによるRAMの1種で、チップ中に形成された小さなキャパシタに電荷を貯めることで情報を保持する記憶素子である。放置すると電荷が放電し情報が喪われるため、常にリフレッシュ（記憶保持動作）を必要とする。やはりRAMの1種であるSRAMがリフレッシュ不要であるのに比べ、リフレッシュのために常に電力を消費することが欠点だが、SRAMに対して大容量を安価に提供できるという利点から、コンピュータの主記憶装置やデジタルテレビやデジタルカメラなど多くの情報機器において、大規模な作業用記憶として用いられている。 D
DDR3 SDRAMとは - IT用語辞典
概要 DDR3 SDRAM（PC3）とは、パソコンなどに使われる半導体メモリ（DRAM）の規格の一つで、DDR2 SDRAMを改良した第3世代のDDR SDRAM規格。主にパソコンやサーバのメインメモリとして利用されている。 DDR3 SDRAMは同一の動作クロックで比較すると前世代のDDR2 SDRAMの2倍、当初のDDR SDRAM規格（DDR1）の4倍の高速なデータ伝送が可能となっている。消費電力の低減も進み、DDR1の2.5V/2.6V、DDR2の1.8Vに対して1.5Vの低電圧で動作する。 信号の仕様などはDDR2など従来品と互換性がなく、専用に設計された製品を用いる必要がある。メモリモジュールのサイズやスロットの幅はDDR1およびDDR2と同一だが、端子の途中にある切り欠きの位置が異なるため、古い規格用のスロットにDDR3モジュールを差し込む（あるいはその逆）はできないようにな
初心者にやさしいメモリーの知識・解説－ＤＤＲ３ | 電脳獅子惑星 ： BTOパソコン比較・選び方ガイド
※注記２）メモリ帯域幅（Bandwidth）は、ピークの帯域幅 = (メモリーバス幅) x (データ・レート) で計算され、メモリーバス幅は、８バイト(B)（64 ビット(b)）幅ですので、 データ転送レート（Mbps）を８倍すると、この数字が出ます。（バイトは、通常大文字で表し、Bです。） アマゾンでメモリーDDR3の価格を調べる。→例：DDR3-1333(PC3-10600) 上の表で、カッコ内に書いた、PC3-12800とかの数字は、メモリー帯域幅（※注記２）を表す 12800(12.8GB/s)、 というデータ転送速度のことで、表示の数字がそのまま、メモリーの速度性能を表わすので、最近使われるようになったようです。 速度性能の比較をする場合は、外部データ転送レート(Mbps)やバスクロック周波数(MHz)よりも、この GB/Secという、データ転送速度を使うと評価しやすいのです。こ
DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション - Wikipedia
1.4.6 プリチャージパワーダウン時のDLLコントロール (DLL Control for Precharge Power Down)
エルピーダ、30nmプロセス採用4GバイトDDR3 SO-DIMMのサンプル出荷開始 | パソコン | マイコミジャーナル
エルピーダメモリは21日、製造に最先端の30nmプロセスを採用し、モジュールあたり16チップで4Gバイトの大容量を実現するDDR3 SO-DIMMのサンプル出荷を開始したと発表した。量産開始は2011年1〜3月期を予定する。 30nmプロセス採用4GバイトDDR3 SO-DIMM バッテリ駆動時間の向上が求められるノートPCやネットブック、タブレットPCに最適な省電力、大容量のSO-DIMMモジュール(204ピン SO-DIMM)。2GビットDDR3 SDRAMを16チップ搭載し、4Gバイト容量を実現。同社40nm採用DRAMモジュール比で、動作時電流を20%、待機時電流を30%削減している。データ転送速度は最大1866Mbps。電源電圧は1.5V±0.075V。 製造のコスト面では、40nmから30nmへの移行にあたり、製造プロセスの変更を最少にすることで新たな投資を抑制しコスト低減を図
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