ノベルクリスタルテクノロジー(埼玉県狭山市、倉又朗人社長)は、パワー半導体の基板となる150ミリメートル口径(6インチ)β型酸化ガリウム(β―Ga2O3)単結晶の作製に成功した。基板の大口径化や高品質化の実現に貢献し、パワー半導体へのβ―Ga2O3の採用を加速させる。単結晶は、るつぼと同じ形の結晶が得られる垂直ブリッジマン(VB)法で作製。従来の方法であるEFG法よりも基板に加工する際に不要となる部分を減らせ、低コスト化につながる見通しだ。 β―Ga2O3を用いたパワー半導体を広く普及させるには、基板の大口径化が不可欠で、単結晶の大型化も必要だった。VB法によるβ―Ga2O3単結晶育成技術は信州大学が発案し、開発を進めている。ノベルクリスタルテクノロジーは信州大から育成技術を継承し、6インチの単結晶の作製に成功した。 同社は板状の結晶を育成できるEFG法で単結晶を作る技術を開発済み。産業技