「このばらつきが不要なストレスをメモリセルに与える。講演では、電源電圧が3.0Vの時に比べ、電源電圧が2.7Vの時はこのばらつきが大きく増加してしまうことをシミュレーションによって明らかにしていた」

deep_one のブックマーク 2016/05/09 09:55

<blockquote class="hatena-bookmark-comment"><a class="comment-info" href="https://b.hatena.ne.jp/entry/286831752/comment/deep_one" data-user-id="deep_one" data-entry-url="https://b.hatena.ne.jp/entry/s/pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/756102.html" data-original-href="https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/756102.html" data-entry-favicon="https://cdn-ak2.favicon.st-hatena.com/64?url=https%3A%2F%2Fpc.watch.impress.co.jp%2Fdocs%2Fnews%2Fevent%2F756102.html" data-user-icon="/users/deep_one/profile.png">【イベントレポート】 電源電圧が仕様範囲内でもTLC NANDフラッシュの寿命は大きく変わる</a><br><p style="clear: left">「このばらつきが不要なストレスをメモリセルに与える。講演では、電源電圧が3.0Vの時に比べ、電源電圧が2.7Vの時はこのばらつきが大きく増加してしまうことをシミュレーションによって明らかにしていた」</p><a class="datetime" href="https://b.hatena.ne.jp/deep_one/20160509#bookmark-286831752"><span class="datetime-body">2016/05/09 09:55</span></a></blockquote><script src="https://b.st-hatena.com/js/comment-widget.js" charset="utf-8" async></script>

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