【イベントレポート】 電源電圧が仕様範囲内でもTLC NANDフラッシュの寿命は大きく変わる

[deep_one]

「このばらつきが不要なストレスをメモリセルに与える。講演では、電源電圧が3.0Vの時に比べ、電源電圧が2.7Vの時はこのばらつきが大きく増加してしまうことをシミュレーションによって明らかにしていた」

[nanoha3]

ボラタイルになるんだ。おお・・・

[pipehead]

> 電源電圧を下限付近である2.7Vにまで低下させると、電源電圧は仕様範囲内であるものの、書き換えの繰り返しによる不良が著しく増加する(書き換えサイクル寿命が著しく短くなる)場合があることが分かった。