筑波大学は、窒化アルミニウム(AlN)半導体を用い、ダイオードは827℃まで、トランジスタは727℃まで、それぞれ極めて高い温度環境で、安定に動作させることに成功した。地下資源掘削や宇宙探索、エンジン周辺など、高い温度環境でも半導体素子の利用が可能となる。 900℃まで電気特性を測定できる評価装置を用意 筑波大学は2023年6月、窒化アルミニウム(AlN)半導体を用い、ダイオードは827℃まで、トランジスタは727℃まで、それぞれ極めて高い温度環境で、安定に動作させることに成功したと発表した。地下資源掘削や宇宙探索、エンジン周辺など、高い温度環境でも半導体素子の利用が可能となる。 電子機器に搭載される一般的なICでは、Si(シリコン)半導体が用いられている。ところが、Si素子の動作可能な温度範囲は300℃以下であり、これを超える高温環境で用いるのは極めて難しかった。 そこで注目されてきたの