半導体素子、800℃を超える環境でも安定に動作

筑波大学は、窒化アルミニウム（AlN）半導体を用い、ダイオードは827℃まで、トランジスタは727℃まで、それぞれ極めて高い温度環境で、安定に動作させることに成功した。地下資源掘削や宇宙探索、エンジン周辺など、高い温度環境でも半導体素子の利用が可能となる。 900℃まで電気特性を測定できる評価装置を用意 筑波大学は2023年6月、窒化アルミニウム（AlN）半導体を用い、ダイオードは827℃まで、トランジスタは727℃まで、それぞれ極めて高い温度環境で、安定に動作させることに成功したと発表した。地下資源掘削や宇宙探索、エンジン周辺など、高い温度環境でも半導体素子の利用が可能となる。 電子機器に搭載される一般的なICでは、Si（シリコン）半導体が用いられている。ところが、Si素子の動作可能な温度範囲は300℃以下であり、これを超える高温環境で用いるのは極めて難しかった。 そこで注目されてきたの

[misomico]

加圧水蒸気や液体ナトリウムで冷却できるな

[gimonfu_usr]

（「こういう研究が日本国内で実用化、商品化されて生産され、大学も日本企業も国もウホウホと潤う」という例をあんま見ないの何故だ。ワシの視野狭いせいか。)

[kenchan3]

地下数千メートルや大気圏突入時でも使える高温耐性の半導体は軍事技術やからなあ。

[dekaino]

800℃ならまだ銅の融点(1084.5℃)より低いのか