IBMとTDK、高容量MRAMの共同研究開発を開始
8月20日 発表 米IBMとTDK株式会社は20日、スピン注入磁化反転法を採用した次世代MRAMの共同研究開発を開始したと発表した。 Magnetoresistive Random Access Memory(MRAM)とは、磁気をデータの記録に利用する不揮発性の次世代メモリ。フラッシュメモリと同様に不揮発性でありながら、高速な書き込みと高い書き換え耐性を特徴としている。 IBMはMRAMメモリ技術の開発やMTJ要素技術の研究開発を行なう一方、TDKはMTJ技術をHDD向けヘッドに適用させてきた。両社はこれらの技術を活用し、MRAMに対してスピン注入磁化反転法を適用することでメモリセルを小型化し、コスト効率の向上と高容量化を狙う。 □IBMのホームページ(英文) http://www.ibm.com/ □ニュースリリース http://www-06.ibm.com/jp/press/200
後藤弘茂のWeekly海外ニュース-6.4Gbpsを狙う次々世代メモリ「NGM Diff」
●MicronのロードマップではDDR4の代わりにNGMが登場 DRAMでは、数年前から「NGM(NewまたはNext Generation Memory)」と呼ぶ次世代メモリの構想がJEDEC(米国の電子工業会EIAの下部組織で、半導体の標準化団体)周辺から聞こえてきていた。最初にNGMと見られる話が漏れてきたのは2年ほど前で、その時は、DDR系メモリはDDR3 DRAMで打ち止めとなり、その次は新しいDRAM技術へ移行する案が出ているとDRAM業界関係者から聞かされた。 NGMは、DDR3まで継続されて来た技術的な流れをいったん断ち切り、DRAMインターフェイスを大きく変えようという動きだ。 デジタル信号インターフェイスの高速化には、ある程度決まったセオリーがある。デバイス間をポイントツーポイントで接続、ディファレンシャル(差動)動作の2本の信号線で伝送し、オープンドレインで信号の電圧
後藤弘茂のWeekly海外ニュース- 岐路にさしかかるDDR3モジュール
●当面は従来のフォームファクタを継承するDIMM DRAMの標準規格を策定するJEDEC(米国の電子工業会EIAの下部組織で、半導体の標準化団体)は、7月22日から24日にSan Joseで開催されたメモリとストレージ技術のカンファレンス「MEMCON07 San Jose」で、次世代DRAMとメモリモジュールの状況を説明した。その中で、JEDECのBill Gervasi(ビル・ジャヴァーシ)氏(Vice President, Engineering, USModular/Chairman, JEDEC JC-45.3)は、DDR3では、当初は1チャネル1スロットの予定だったのが、市場の要請によって1チャネル2スロットに拡張されたため、さまざまな影響が出ていると語った。 DDR3のスロット数を増やした変更によって、もっとも影響を受けるのは、メモリモジュールだ。JEDECが標準ガーヴァーを
元麻布春男の週刊PCホットライン - 次世代メモリデバイスMRAMの未来
現在PCのメインメモリとして幅広く使われているDRAMは、'60年代にIBMで開発されたものだ。汎用品としてのDRAMチップを初めて製品化したのがIntelで、'70年のことである。以来、DRAMは「産業のコメ」と言われるほど普及した。 その原動力となったのは、なんといっても構造が単純なため高集積が可能で、ビット単価が安いことだ。1つのセルを1個のトランジスタと電荷を蓄えるキャパシタで構成可能なDRAMは、トランジスタのみでデータを保持するSRAMに比べ、セルサイズが小さい。加えて、書き換え回数や読み出し回数に制限がなく、そこそこ高速であることもDRAMのメリットだ。最近では、同じようにセル構造が単純なNANDフラッシュメモリが集積度やビット単価、さらには製造プロセスの微細化で上回るようになったが、書き換え可能回数に制限があるというだけでも、PCの主記憶には使えない。 だが、だからといって
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