後藤弘茂のWeekly海外ニュース-6.4Gbpsを狙う次々世代メモリ「NGM Diff」

●MicronのロードマップではDDR4の代わりにNGMが登場 DRAMでは、数年前から「NGM(NewまたはNext Generation Memory)」と呼ぶ次世代メモリの構想がJEDEC(米国の電子工業会EIAの下部組織で、半導体の標準化団体)周辺から聞こえてきていた。最初にNGMと見られる話が漏れてきたのは2年ほど前で、その時は、DDR系メモリはDDR3 DRAMで打ち止めとなり、その次は新しいDRAM技術へ移行する案が出ているとDRAM業界関係者から聞かされた。 NGMは、DDR3まで継続されて来た技術的な流れをいったん断ち切り、DRAMインターフェイスを大きく変えようという動きだ。 デジタル信号インターフェイスの高速化には、ある程度決まったセオリーがある。デバイス間をポイントツーポイントで接続、ディファレンシャル(差動)動作の2本の信号線で伝送し、オープンドレインで信号の電圧