近年、性能向上(performance)、電力低減(power)、面積削減(area)、コスト削減(cost)のPPACを実現するため、マイクロプロセッサやComplementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS)イメージセンサ等の半導体デバイスにおいて銅(Cu)direct bondingプロセス技術を用いた3次元積層デバイスが発表されています[1-4]。今回、Cu direct bondingプロセス技術を基盤として新たにCMOS directly bonded to array(CBA)技術を開発し、BiCS FLASH™ generation 8に適用することで従来技術と比較して3次元フラッシュメモリのPPACが向上し、将来における更なるPPACの改善の可能性を示すことができました。 CBA技術は図1に示すように、CMOS周辺回路(以下CMOS)とセ
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