3次元フラッシュメモリ向けCMOS Directly Bonded to Array(CBA)技術の開発 | KIOXIA - Japan (日本語)近年、性能向上（performance）、電力低減（power）、面積削減（area）、コスト削減（cost）のPPACを実現するため、マイクロプロセッサやComplementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS)イメージセンサ等の半導体デバイスにおいて銅（Cu）direct bondingプロセス技術を用いた3次元積層デバイスが発表されています[1-4]。今回、Cu direct bondingプロセス技術を基盤として新たにCMOS directly bonded to array(CBA)技術を開発し、BiCS FLASH™ generation 8に適用することで従来技術と比較して3次元フラッシュメモリのPPACが向上し、将来における更なるPPACの改善の可能性を示すことができました。 CBA技術は図1に示すように、CMOS周辺回路（以下CMOS）とセ
