SSDなどのデータ保存メディアに搭載されているNAND型フラッシュメモリは、1チップ当たりのストレージ容量増加のために「メモリセルを垂直方向に積層する」というアプローチを採用しています。2024年11月にはSK hynixが321層のNAND型フラッシュメモリを発表したのですが、すでにメモリメーカーは数年以内に1000層超えの積層数を実現することを目指して開発を進めています。 NAND Flash Targets 1,000 Layers https://semiengineering.com/nand-flash-targets-1000-layers/ NAND型フラッシュメモリの容量を増やす手法には「メモリセルを垂直方向に積層する」という方法以外に、「1つのメモリセルに2ビット以上のデータを書き込む」という手法も存在します。すでに1つのメモリセルに4ビットのデータを書き込めるQLC
