産業技術総合研究所(産総研)先進製造プロセス研究部門 エンジニアリングセラミックス研究班 平尾喜代司 研究班長および周游主任研究員らの研究チームは、電気化学工業ならびに日本ファインセラミックスと共同で、窒化ケイ素(Si3N4)セラミックスの熱伝導率を従来品に比べて高めることに成功したことを発表した。 パワー半導体を搭載したパワーモジュールとしては、約200W/(m・K)の熱伝導率を持つAlN基板などが車載用インバータとして用いられてきた。しかし、パワーモジュールの出力密度の向上による接合部分への高い応力の発生および車載用途などの大きな温度変化にさらされる環境への対応として、熱伝導率に加えて高い機械特性の実現も回路基板に求められるようになってきている。 窒化ケイ素は高い機械特性を持っているが、熱伝導率はAlNの半分以下である。しかし、理論熱伝導率は200W/(m・K)を超すと予測されており、