次世代不揮発性メモリのスピン注入型MRAM高信頼読み出し方式を開発 : 富士通
株式会社富士通研究所（注1）（以下、富士通研究所）とトロント大学（注2）は、次世代の不揮発性メモリ（注3）の一つとして期待されるスピン注入型MRAM（注4）について、従来から課題となっていた誤書き込みが発生しない高信頼な読み出し方式を世界で初めて開発しました。 携帯電話やPDAなど、多くの電子機器で広く使われているフラッシュメモリ内蔵マイコンに搭載されているNOR型フラッシュメモリは、近い将来、微細化の限界に達すると予想されており、代替となる微細化が可能で低消費電力な不揮発性メモリの実用化が求められていました。 今回、スピン注入型MRAMの課題の一つである誤書き込みの問題を解決し、将来の小型・低消費電力の電子機器で必要とされるフラッシュメモリの代替デバイスの実用化に向けて、大きく前進いたしました。 なお、今回の技術の詳細は、2月7日からサンフランシスコで開催されている半導体の国際会議「IS
産総研：スピンRAM（MRAM）の大容量化を可能にする垂直磁化TMR素子
大容量スピンRAMの記憶素子となる高性能な垂直磁化TMR素子を開発 垂直磁化TMR素子において、高い磁気抵抗（MR）比と低い素子抵抗（RA）値を初めて両立 大容量スピンRAMの開発に大きく前進 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】（以下「産総研」という）ナノスピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】金属スピントロニクスチーム【研究チーム長 久保田 均】薬師寺 啓 主任研究員は、大容量のスピン注入型磁気抵抗ランダムアクセスメモリー（スピンRAM）の記憶素子となる、高性能な垂直磁化トンネル磁気抵抗（TMR）素子を開発した。 スピンRAMは記憶を保持するのに電力を使わずIT機器等の省エネルギーにつながるため、その開発、特に1ギガビット（Gbit）以上の大容量化が期待されている。記憶容量がGbitを超えるような大容量スピンRAMを実現するには、大きな出力信号を得る
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