各種メモリ／ストレージのアクセス時間，所要クロックサイクル，転送速度，容量の目安 - Qiita
各種メモリ／ストレージについて，2024年時点で標準的なアクセス時間，所要クロックサイクル，転送速度，容量を，各種カタログスペックを参考にまとめてみました． レジスタ(レジスタファイル) 最近のCPUのレジスタ(register)のアクセスは，通常CPUの1クロックサイクルで完了します．2024年時点では，標準的なCPUのクロック周波数は，1〜5GHz程度のオーダーです．1GHzは1秒あたり10億回，すなわち1クロックサイクルは1ナノ秒です． したがって，2024年時点では，レジスタには0.2〜1ナノ秒程度でアクセスできると言えます． レジスタのメモリ容量は，レジスタファイルに存在するレジスタ数に依存します，これは命令で明示的に指定できるレジスタ数という解釈もありますが，レジスタ・リネーミングのようなプロセッサ技術を用いると，実際にはより多くのレジスタ数を持っていると解釈することもできます
なぜ東芝は、利益の9割を稼ぐNANDメモリ開発者を辱めて追放したのか？
“Unsung HERO（評価されない英雄）”舛岡富士雄氏――。 このような衝撃的なイントロから始まるNHKのドキュメンタリー番組『ブレイブ 勇敢なる者「硬骨エンジニア」』（11月23日放送）を見た。この番組では、NAND型フラッシュメモリを発明した舛岡富士雄氏と、その開発初期の頃のメンバーが実名で登場する。そして、発明から事業化へ至るまでの過程を、インタビューなどを交えて生々しく再現している。 本稿では、なぜ舛岡氏がNANDを発明できたのか、なぜ東芝はそれを事業化できたのかを、番組内容を基に簡単に振り返る。そして、東芝を退職した舛岡氏が、なぜ東芝を訴えたのかを考察する。その上で、あなたがもし舛岡氏のような“タレント”だったらどうするべきか、またはあなたの会社に舛岡氏のような“タレント”がいたらどう処遇するべきかを提言する。 舛岡氏がNANDを発明し、東芝が事業化に成功した要因 番組から、
今さら聞けないメモリーの基礎知識 SDRAM～DDR3編 (1/4)
前回も掲載したEDO DRAMの図2と見比べればわかるが、SDRAMでは「RAS/CAS」の信号線が必要ない。EDO DRAMまでは、アドレスがどのタイミングで送られるかを判断するために、RAS/CASを独立した信号線として必要だった。 SDRAMではクロック信号の立ち上がりでアドレスが送られる仕組みになっているので、RASやCASといった信号線でタイミングを取る必要がなくなった。これによるメリットは2つある。まずメモリーコントローラーの側のメリットとして、DRAMのタイミングに合わせて細かく信号線の上げ下げをする必要がなくなったことが挙げられる。 ちょっと込み入った話になるが、CPUのみならず、チップセットやそのほかの周辺回路を含む大規模なロジック回路は、「同期回路」と呼ばれる方式で設計されるのが普通だ。これはクロック信号に合わせてロジック回路の中の細かいブロックが動作し、ブロック間でデ
メインメモリー規格の違い - パソコンの選び方と買い方
メインメモリー規格一覧 メインメモリー規格には、メモリー規格、モジュール規格、チップ規格があります。 メモリー規格には、SDR SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM があります。（2017年12月1日時点）後者にいくほど新しいメモリー規格です。 DDR SDRAM 以降のメモリー規格がない時代では、SDR SDRAM は SDRAM と呼ばれていましたが、新たに出た DDR SDRAM と区別するために SDR SDRAM とも呼ばれることになりました。 DDR SDRAM を DDR1 SDRAM とし、DDR1 SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM をまとめて DDR SDRAM と呼ぶことがありますが、一般的には DDR SDRAM は SDR SDRAM の後継であり、かつ DDR2
「フラッシュメモリー産みの親」東芝が敗北した真の理由
編集部からのお知らせ： 本記事は、書籍『誰が科学を殺すのか 科学技術立国「崩壊」の衝撃』（著・毎日新聞「幻の科学技術立国」取材班 、毎日新聞出版）の中から一部抜粋し、転載したものです。毎日新聞の取材班が綿密な調査で迫った、日本の科学技術凋落（ちょうらく）の実態。大学の研究現場や、科学技術政策に携わってきた政治家、そして企業にも切り込んだ本書。企業の取材先は、電機メーカーのほか、バイオベンチャー、自動車業界にも渡りますが、今回は東芝の事例に迫ります。 「ものづくり」で高度経済成長を牽引（けんいん）した日本企業だが、グーグルなど巨大IT企業の出現や経済のグローバル化、新興国の台頭といった社会変革の中で、急速に存在感を低下させつつある。日本の企業はなぜかつての勢いを失ったのだろうか。国内の研究開発投資の8割近くを担う企業の現状と課題を考える。 1990年ごろ、東芝の総合研究所（川崎市、現・研究開
量子メモリへの書き込み/読み出し、光通信で成功
大阪大学、情報通信研究機構（NICT）などの研究グループは2016年11月、光通信技術を利用した量子メモリへの書き込み／読み出しに「世界で初めて成功した」と発表した。 大阪大学、NICTなどの研究グループ 大阪大学、情報通信研究機構（NICT）などの研究グループ＊）は2016年11月17日、光通信技術を利用した量子メモリへの書き込み、読み出しを実現することに成功したと発表した。阪大などによると「世界で初めての成功」という。 ＊）研究グループは、大阪大学大学院基礎工学研究科教授 井元信之氏、NTT物性科学基礎研究所主任研究員 向井哲哉氏、NICT未来ICT研究所主任研究員 三木茂人氏、東京大学大学院工学系研究科教授 小芦雅斗氏で構成。 現在、長距離量子情報通信システムは、各中継地点に分散した量子メモリの量子状態を光通信を使って交換するアーキテクチャが考えられている。そのため、量子情報通信にお
IntelとMicronの新不揮発メモリ「3D XPoint」
IntelとMicron Technologyが、不揮発メモリ「3D XPoint（クロスポイント）」を発表した。NAND型フラッシュメモリよりも1000倍高速で、DRAMよりも8～10倍、記憶密度が高いという。両社は、25年ぶりに新しい不揮発メモリのカテゴリを作り出したとしている。 IntelとMicron Technology（以下、Micron）は2015年7月29日（米国時間）、「NAND型フラッシュメモリよりも1000倍高速で、DRAMよりも8～10倍、記憶密度が高い」とする新しい不揮発メモリ「3D XPoint（クロスポイント）」を発表した。 3D XPointは、メモリセルと「セレクタ」と呼ばれる部分を組み合わせた「柱」を何本か作り、その上下をワード線とビット線で接続する。両社は、この構造を「クロスポイント構造」と呼ぶ。セレクタに送られる電圧を変えることでメモリセルの書き込み
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見れば全部わかるDDR4メモリ完全ガイド、規格からレイテンシ、本当の速さまで再確認 DDR4メモリを買う前に知っておきたい基礎知識編 text by 坂本はじめ
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【イベントレポート】 【イベント速報】現行SSDより7倍速い3D Xpoint搭載SSDのデモが初公開 ～IoT向けCurieやFossil製Androidスマートウォッチも披露
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Intel、NANDの1,000倍高速な不揮発性メモリを開発 ～トランジスタ不要の「3D XPoint」技術
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