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メモリと研究に関するminamijoyoのブックマーク (2)

  • ニンテンドー ゲームキューブ/スペック

    IBM Power PC “Gekko” 製造プロセス 0.18ミクロン 銅配線技術 動作周波数 485MHz CPU性能 1125DMips(Dhrystone2.1) 内部データ精度 32bit 整数 & 64bit 浮動小数点 外部バス バンド幅 1.3GB/秒(ピーク) 32bitアドレス、64bitデータバス 162MHz 内部キャッシュ L1: 命令32KB、データ32KB (8way) L2: 256KB (2way) システムLSI “Flipper” 製造プロセス 0.18ミクロン NEC DRAM混載 動作周波数 162MHz 混載フレームバッファ 約2MB 持続レイテンシ性能 6.2ns (1T-SRAM) 混載テクスチャキャッシュ 約1MB 持続レイテンシ性能 6.2ns (1T-SRAM) テクスチャReadバンド幅 10.4GB/秒 (ピーク) メインメモリ バ

  • 【レポート】高性能メモリアーキテクチャ「1T-SRAM」の仕組み | ネット | マイコミジャーナル

    1T-SRAM(ワンティーエスラムと呼ぶ)はMoSys社の開発したメモリアーキテクチャである。数年前より開発が進んでいたが、昨年、任天堂の発表した次世代ゲーム機での採用が発表され、話題となっていた。1T-SRAMの名前は、1個のトランジスタ(Tr)で実現するSRAM(相当のメモリ)ということから名付けられたのであろう。通常SRAMは6個のトランジスタから構成されるが、パソコンの主メモリとして利用されるDRAMは1個のトランジスタ(とキャパシタ)から構成される。このことからも想像されるとおり、1T-SRAMは、メモリセルにDRAMと同様の構造を採用、集積度を向上させつつ、SRAMインタフェースの使いやすさを提供し面倒なリフレッシュ動作をユーザーから隠蔽したメモリアーキテクチャということができる。 これらの特徴は1T-SRAMのメモリIPの国内販売代理店となったスピナカー・システムズのWebペ

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