DOS/V POWER REPORT | Impress
【連載移籍のお知らせ】 DOS/V POWER REPORTは2024年冬号をもって休刊しました。以下の連載は掲載の場をAKIBA PC Hotline!（https://akiba-pc.watch.impress.co.jp/）に移して継続中です。よりいっそうパワーアップした内容にもご期待ください。 ＜新装連載中！(2024年7月現在)＞ GPU Round-Robin Benchmark https://akiba-pc.watch.impress.co.jp/backno/special/gpu_benchmark/ VIDEO CARD LABORATORY https://akiba-pc.watch.impress.co.jp/backno/special/videocard_lab/ 最新自作計画（※竹内亮介のオレにPCケースを使わせろ！と合併） https://akiba
SSDの信頼性は、すでにHDDを超えている - 本田雅一の週刊モバイル通信
■ 第444回 ■ SSDの信頼性は、すでにHDDを超えている ～東芝セミコンダクター社 インタビュー 一昨年、昨年と大幅な低コスト化が進んだことで、モバイルPC用ストレージとしての存在感を増しているSSD。いくら安価になったとは言え、さすがに絶対的な記憶容量や容量あたりの単価ではHDDにかなわないSSDが、これほど注目を集めるのは、高性能、低消費電力、小型、耐衝撃性といった要素を備えているからだ。 特に1.8インチHDDを前提とした小型ノートPCの場合、本来はSSDが不利な記憶容量の面でも同等レベルになってきており、消費電力低減や軽量化といった要素も含め、トータルでSSD搭載モデルの方が魅力的なのは当然のことだ。 しかし同時に、ノートPC向けSSDが徐々に一般化する中で、SSDのセルはMLCへと主流が移り変わり、セルの書き換え可能回数はSLCより減ってしまった。本当にSSDでも大丈夫なの
もう1つのフラッシュメモリ大手MicronのSSD事情 | 元麻布春男の週刊PCホットライン
今、最も盛り上がっているPCパーツと言えば、SSD(Solid State Drive)、特にNANDフラッシュメモリを用いたSSDだろう。急激なバイト単価の下落により買いやすくなったことで、一般ユーザーの手に届くものになってきた。そのペースが速すぎて、商品の陳腐化のスピードにユーザーがついていけなかったり、メーカーの想定を越えるヘビーな使い方で思わぬ弱点(短時間システムのレスポンスが停止する、いわゆるプチフリ等)が露見したりと、必ずしも良いことばかりではないが、こうしたデメリットも含めた「祭り」になるデバイスが登場するのは久しぶりだ。 そのSSD市場は、現在ほぼ真っ二つに分かれている。秋葉原の店頭で中心となっているのは、OCZ、MTRON、PATRIOT、PhotoFastといったベンダ。一方、大手のノートPCやネットブックに採用されているSSDは大半が、Samsung、SanDisk、
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】史上最低価格となったDRAMのDDR3への移行は2010年に持ち越し
●1個60セントを切るまでに暴落したDRAM 昨年(2008年)は、DRAMベンダーにとっての悪夢、PCエンドユーザーにとってのメモリ天国だった。史上最低と言われるDRAM暴落の結果、バルクのDDR2 DIMMは1GBで1,000円を切るレベルにまで落ち込んだ。エンドユーザーにとっては絶好のメモリ増設のチャンスとなったわけだが、喜んでばかりもいられない。 DRAMベンダーが弱ると、シュリンクによるコスト削減以外のDRAM技術革新のペースが鈍化し、それは最終的にCPUパフォーマンスの足かせとなる。実際に、DDR3メモリへの移行は、DRAM不況で読めない状況になってしまった。また、DRAMベンダーの投資が冷え込むことで、1～2年後に今度はDRAM供給不足による高値のバックラッシュが起こる可能性もある。 2008年のDRAM価格がいかに異常だったかは、その価格を見てみるとよくわかる。12月のDR
SanDisk、SSD向けファイルシステム「ExtremeFFS」を解説～“プチフリ”と無縁な、高速化技術
SanDisk、SSD向けファイルシステム「ExtremeFFS」を解説 ～“プチフリ”と無縁な、高速化技術 米SanDiskでSSDマーケティング部門の上級ディレクターを務めるDon Barnetson氏に、同社のSSD製品/技術に関する話を伺う機会を得た。同社はここ最近、SSDに関する指標や新技術を立て続けに発表している。一部、過去のレポートと重複する点もあるが、高速化技術などについて具体的なメカニズムは、今回初めてお伝えする。 ●SSDのランダムライトを100倍高速化するExtremeFFS 同社は'94年に、NANDフラッシュメモリ用ファイルシステム「TrueFFS」を開発した。これは、Windows 95や、一般的な携帯電話などに採用されている。NANDフラッシュメモリでは、データを直接上書き/変更することができず、書き込む前に一度消去という作業を行なう必要があるが、TrueFF
【MemCon 2008レポート】SanDisk、SSDの寿命を定義する共通指標を提唱
会期：7月21～24日(現地時間) 会場：米国カリフォルニア州サンタクララ Hyatt Regency Santa Clara フラッシュメモリ応用製品の大手ベンダーであるSanDiskは、NANDフラッシュメモリを利用した外部記憶装置「SSD(Solid State Drive)」の寿命を定義する共通指標を考案し、半導体メモリに関する講演会「MemCon 2008」で公表した。 SSDに関する動きが最近は活発だ。ノートPCのハイエンド機に相次いで搭載されたり、フラッシュメモリベンダーやPC周辺機器ベンダーによるSSDの新製品発表が続出したりしている。台湾ASUSTeK Computerが日本国内で7月12日に発売したネットブック「Eee PC 901」のSSD搭載機が、家電量販店では予約入荷待ち(筆者が店頭を訪れた7月20日時点では2週間待ちとのこと)となるなど、ユーザーの期待は高い。
Micron、200mmウェハのNAND生産ラインを停止
10月9日(現地時間) 発表 米Micron Technologyは9日(現地時間)、メモリ部門のリストラ計画を実施すると発表した。 今回のリストラに伴い、Boiseにある200mmウェハのNANDフラッシュ生産ラインを停止。また、今後2年間にわたり人員の約15%を削減する予定としている。リストラ関連の経費は約6,000万ドルを見込む。 従って、Intelとの合弁会社であるIM Flash Technology(IMFT)は、BoiseにあるMicronの工場からNANDフラッシュの供給が中止され、毎月200mmウェハ換算で月産35,000枚相当の生産を縮小することになる。 Micronはメモリ価格の下落の影響で、2008年度は16億ドルの赤字を計上していた。 □Micron Technologyのホームページ(英文) http://www.micron.com/ □ニュースリリース(英文
【レポート】IDF Fall 2008 - DRAM Update - メモリロードマップに大幅な軌道修正 (1) Low Voltage DDR3が急浮上 | パソコン | マイコミジャーナル
IDFのレポート、初回をNehalemにするか、こちらにするかでだいぶ迷ったのだが、Nehalemの話題を語る際にメモリの問題を避けて通るのは無理なので、まずはこちらを先にレポートすることにした。ちなみにMemoryレポートと書くとFlashまで入ってくるので、ここでは敢えてDRAMレポートとした。Flashに関係する話は別に分けたいと思う。 DDR3とDDR3L さて、まずPhoto01がおなじみIntelのロードマップである。これを、今年春のもの(Photo02)と比較してみるとちょっと面白い。SDRAMが消えたのはまぁ順当として、最大の違いはLVDDR3なるものが出現したことだ。実はこうした話、今年6月に開催されたMemcon 2008のJEDECセッションでも軽く触れられていた(Photo03)。もっともMemconではこのあたり、本当に軽〜く流してしまっており、細かい話は一切
元麻布春男の週刊PCホットラインSanDiskにSSD事業戦略を聞く
当初はデジタルカメラやMP3プレイヤーの記録媒体として考えられていたNANDフラッシュメモリだが、ここにきてPC用の記憶装置として脚光を集め始めた。 ReadyBoost/ReadyDrive/SuperFetchなどWindows Vistaが性能向上を図る「キャッシュ」としてNANDフラッシュメモリをサポートしたこと、このVistaのアクセラレーション技術に対応するデバイスとして、IntelがNANDフラッシュメモリによる内蔵デバイスをTurboMemoryの名前で製品化したことはよく知られた事実だ。 さらには、HDDを丸ごとNANDフラッシュメモリによるストレージデバイス、SSD(Solid State Drive)で置き換えることさえ視界に入ってきた。5万円を切る価格で注目され、商品としてもヒットしたASUS「Eee PC」は、HDDを搭載せず、内蔵ストレージを4GBのSSDで済ま
IntelとMicron、初の34nmプロセス製造による32Gbit NANDフラッシュ
5月29日(現地時間) 発表 米Intelと米Micron Technologyは29日(現地時間)、34nmプロセス製造による容量32GbitのNANDフラッシュメモリを発表した。6月よりサンプル出荷、2008年後半より量産出荷を開始する。製造は両社の合弁会社IM Flash Technologiesで行なわれる。 業界初という34nmプロセス技術で製造されたNANDフラッシュメモリ。容量は多値セルを採用し、32Gbitとなっている。今後も、34nmプロセスによるNANDフラッシュメモリ製品を追加する計画。 新製品はSSD用途を見込んで開発され、1.8インチHDD互換のSSDで、容量256GB以上を可能にするという。 □Intelのホームページ(英文) http://www.intel.com/ □ニュースリリース(和文) http://www.intel.co.jp/jp/intel/
【レポート】プリンストン大学の研究者らが発表したディスク暗号の高速解読法について | エンタープライズ | マイコミジャーナル
2月21日にJ.Halderman氏らのプリンストン大学のCenter for Information Technology Policyの研究者らが、現在、広く使用されているディスク暗号化が簡単に破れると発表した。MicrosoftのBitLockerやAppleのFileVaultやLinuxで良く使用されているTrueCrypt、dm-cryptなども簡単に解読できたという。また、試してはいないが、原理的にこの手法のアタックはパスワードロックなどのその他のセキュリティーにも適用できるという。 個人情報などの管理がやかましく言われ、社外に持ち出すノートPCはディスクを暗号化しろというルールを決めている会社も少なくないのであるが、これが簡単に破られてしまうのでは、意味が無くなってしまう。 その解読法であるが、DRAMメモリに残っているキーを読み出し、それを使って暗号化されたディスクのデー
後藤弘茂のWeekly海外ニュース - 65nmで本格化するDDR3メモリへの移行
●ダイサイズが決め手となるDRAMの普及と価格 DDR3メモリは今年(2008年)後半に、ようやくハイエンドで手が届く価格範囲に入り、今年末には立ち上がり始める。来年(2009年)後半にはDDR2に対する価格プレミアムも解消され、2010年にはDDR3が過半数を占めるようになると推測される。2010年に本格化すると見られる2Gb(Gbits) DRAM世代ではDDR3が完全に主役になるだろう。そして、2Gb DRAM世代ではDDR4が見えてくる。 DRAMの世代交代の推移を読むには、DRAMの技術世代だけでなく、容量世代とプロセス技術、ダイサイズ(半導体本体の面積)を知る必要がある。逆を言えば、それらの要素を押さえると、DRAMの世代交代のパターンが見えてくる。 DRAMも他の半導体製品と同様に、コストの決め手となる要素はダイサイズ(半導体本体の面積)だ。ダイサイズが大きければ、1枚のウェ
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【福田昭のセミコン業界最前線】 NANDフラッシュメモリの信頼性を保つ技術
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 メモリ4Gbps時代へと向かう次世代メモリDDR4
【イベントレポート】 【ISSCC 2010レポート】 次世代不揮発性メモリの開発が大きく進展
競争の舞台はいよいよ30nm以下の世界へ、激しさを増すNAND型フラッシュ開発競争 | EE Times Japan
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【元麻布春男の週刊PCホットライン】 SSDの寿命を長持ちさせるには
組み込み向けに舵を切るマルチメディアカード 元麻布春男の週刊PCホットライン
エルピーダ、中国・江蘇省に日中合弁のDRAM工場を設立へ | エンタープライズ | マイコミジャーナル