CompactFlashの標準化団体が新仕様「Revision 4.0」を発表，133Mバイト/秒に高速化
CompactFlashの標準化団体が新仕様「Revision 4.0」を発表，133Mバイト/秒に高速化 CompactFlash（CF）規格の標準化団体であるCompactFlash Association（CFA）が，CF仕様の新版「CF＋＆CompactFlash Specification Revision 4.0」をドイツで現地時間9月25日に発表した。これまで66Mバイト/秒だったCFインターフェースのデータ転送速度を，133Mバイト/秒に高速化している。新版はCFAのWebサイトから無償でダウンロードできる。 DMAでデータ転送を行う「Ultra DMA 133（UDMA 133）」インターフェース・モードにより，システムのプロセッサに負担をかけることなく133Mバイト/秒の転送を可能とした。UDMA 133モードは既存および後継CF仕様との互換性を備え，転送速度16Mバイ
東芝とLexar、NANDフラッシュリの特許侵害訴訟で和解へ
東芝とLexar、NANDフラッシュの特許侵害訴訟で和解へ ～東芝は2億8,800万ドルの支払いでライセンスを取得 9月15日 発表 株式会社東芝と米Micron Technologyは15日、NANDフラッシュメモリ特許の侵害に関する裁判で和解すると発表した。本件は、Micronの100%子会社であるLexar Mediaが、東芝とその子会社をNAND型フラッシュメモリの特許盗用で訴え、東芝は米カリフォルニア州地方裁判所などにより巨額の賠償金支払いを命じられていた。 東芝は、マイクロンの保持する特許の一部の譲渡を受けると共に、Lexarが保有し、保有していた全ての特許の使用許諾を得る。そのライセンス料として、東芝は2億8,800万ドルを支払うことで両社は合意した。 これにあわせて、両者間での係争を終結する。終結するのは、両社が相互に訴えていたフラッシュメモリに関する特許侵害、Lexarの
Samsungが32Gビットのフラッシュ・メモリーを開発，512MビットのPRAM試作も成功
韓国のSamsung Electronicsは，記憶容量32GビットのNAND型フラッシュ・メモリーを開発した。同メモリーを利用すると，最大64Gバイトのメモリー・カードを実現できるという。また，相変化RAM（PRAM：Phase-change Random Access Memory）という新方式の不揮発性メモリーの試作成功も発表した。 同フラッシュ・メモリーは，金属素材のタンタル（Ta），高誘電率（High-k）素材の酸化アルミニウム（AlO），窒化物（Nitride），酸化物（Oxide），シリコン（Si）を組み合わせたTANOS構造も採用した。Samsungによると，NAND型素子でHigh-k素材と金属層を組み合わせたのは，TANOS構造が初めてという。 米メディア（InfoWorld）は，同フラッシュ・メモリーの量産開始時期を11月と報じている。 またSamsungは同日，相変
Samsung，80nmプロセスによる1GバイトDDR2メモリーの量産を開始
韓国のSamsung Electronicsは，80nm（ナノ・メートル）プロセス技術による1GビットのDDR2規格DRAMメモリーの量産を開始した。同社が現地時間8月29日に明らかにした。現行の90nmプロセス技術による1GビットのDDR2と比べて，生産効率を高めながらコストを抑えて製造できるという。 80nmプロセス技術で製造する1GビットのDRAMパッケージのサイズは11×11.5ミリで「世界最小」（同社）となる。現行の90nmプロセスで製造する1Gビット・チップの約半分となり，512MビットのDRAMとほぼ同じサイズとなる。 同社によれば，現在多くの1GビットのDRAMチップは，4GバイトのDIMMや2GバイトのSODIMMといった次世代サーバー向けのDRSMモジュール内で重ねて使用されている。サイズの縮小により重ねる必要がなくなれば，製造プロセスの簡略化，生産コストの削減，電気特
Engadget | Technology News & Reviews
Doctor Who is back, louder and more chaotic than before
米連邦取引委員会，「Rambusが違法な手段でDRAM市場を独占している」と判断
米連邦取引委員会（FTC）は，「米Rambusが違法な手段でDRAM市場を独占している」との判断を下した。FTCが米国時間8月2日に明らかにしたもの。5人の委員全員が，Rambusの行為を違法とみなしたという。FTCの意見書はWebサイトで公開している。 FTCは，「RambusがDRAM標準仕様に採用された4種類の技術を使い，不正に市場を独占した」と見る。半導体業界団体EIAの下部組織でメモリーの規格化を担当するJoint Electron Device Engineering Council（JEDEC）のメンバーとして会合に出席し，標準化を進める過程で特許などの重要な情報を隠していたという。 なおFTCは，2002年6月に「RambusがJEDECをだますために故意に反競争的な活動を展開し，米連邦独占禁止法に違反した」と主張し，Rambusを告訴したことがある。ただし，この訴えは20
RambusがDRAM技術を不正占拠、か? | スラド
半導体業界には、RambusのようにIPを売る会社はそれなりにあります。 とはいえ、それらの会社でRambusほど嫌われている会社はありません。 Rambusが嫌われるのは、そのやり方は非常に攻撃的で且つ、狡猾だからです。 Rambusのミスは、Rambusメモリを普及させるのに失敗したことでしょう。 PCのメインストリームを目指したが、その設計の難しさと、当時としての オーバスペック、ベンダー側に不利な契約内容など、Rumbusを採用する 気を削がせるような内容が並んでいたといいいます。 そこで、業界としてRambusに頼らず、SDRAMを発展させる方向に進んだわけです。 Rambusも、最初に契約内容もゆるくしておけば、ここまで追い込まれることは なかったでしょうが、連中はSDRAMに対してその特許をもぐりこませる ことを画策するわけです。 生き残りのための方策とはいえ、特許の究極目標
エルピーダ、後工程を担う新会社を秋田に設立
8月2日 発表 エルピーダメモリ株式会社は8月2日、後工程技術の開発やパッケージ製造を行なう100%子会社「秋田エルピーダメモリ株式会社」を設立した。 日立グループの株式会社アキタ電子、およびその子会社の株式会社アキタセミコンダクタから半導体後工程事業を譲り受けたもの。これまでアキタ電子およびアキタセミコンダクタの同事業に携わっていた社員は秋田エルピーダに転籍する予定。 今後、秋田エルピーダは後工程における差別化戦略の中心と位置づけられ、Multi Chip PackageおよびPackage on Packageなどの技術が必要となる製品の試作および生産の拠点として事業基盤の強化を図る。 □エルピーダメモリのホームページ http://www.elpida.com/ja/ □ニュースリリース http://www.elpida.com/ja/news/2006/08-02akita.ht
SanDisk，イスラエルのフラッシュ・メモリ企業を15.5億ドルで買収
米SanDiskは米国時間7月30日，フラッシュ・メモリを手がけるイスラエルのmsystemsを買収することで両社が最終合意に達したと発表した。買収手続きはイスラエルの規制当局や，msystems株主の承認を経て，2006年第4四半期に完了する見通し。 SanDiskは，msystemsの普通株1株につき，SanDiskの普通株0.76368株を割り当てる。これは過去30日間のmsystemsの平均終値に26％のプレミアムを上乗せしたもの。米メディア（InternetNews）によると，買収金額は約15億5000万ドルに相当する。 msystemsは，組込み向けフラッシュ・ドライブやU3 USBスマート・ドライブなどを民生電子機器向けに製造している企業。SanDiskが主に小売りチャネル向けに製造しているのに対し，msystemsはOEM製品を手がけている。 SanDisk会長兼CEOのE
Rambusの特許侵害訴訟，Hynixの損害賠償額を1億3360万ドルに減額
米Rambusと韓国Hynix Semiconductorのあいだで争われているメモリー関連技術の特許訴訟で，Rambusは，Hynixの損害賠償支払いを1億3360万ドルに減額することを受け入れた。Rambusが米国時間7月27日に発表した。カリフォルニア州北地区連邦地方裁判所の陪審員団は当初，損害賠償額を3億690万ドルと算出したが，同裁判所の判事は減額を認めるようRambusに求め，Rambusがこれに応じたもの。 Rambusによると，陪審員団はRambusがこの訴訟で問題としていた10件の特許クレームについて，その有効性とHynixによる侵害を認定。 これにともない，Hynixが2000年6月から2005年末にわたって米国で販売した一部のSDRAM，DDR SDRAM，DDR2メモリー製品を対象に，3億690万ドルの賠償命令を下した。しかし同裁判所の判事は2006年7月14日，R
iza：イザ！
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IntelとMicron、50nmプロセスの4Gb NANDフラッシュをサンプリング | エンタープライズ | マイコミジャーナル
米Intelと米Micron Technologyは7月25日(現地時間)、50nmプロセス技術で製造された4GbitのNAND型フラッシュメモリのサンプリング開始を発表した。サンプルの製造は、両社が設立したNANDフラッシュの開発・製造会社IM Flash Technologies(IMFT)で行われている。量産開始は2007年になる見通しだ。 両社が示した産業調査資料によると、NAND市場は2006年に130億〜160億ドル規模になる見通しで、2010年には250億〜300億ドルに達するという。一方で同市場では開発や価格の競争が激化しており、両社はそれぞれの技術や資産、経験を組み合わせて効率化を図るために昨年11月にIMFTを設立する計画を発表した。現在IMFTはMicronのアイダホ州ボイズの製造施設でNAND型フラッシュメモリを製造しており、今年後半にはバージニア州マナサスの300
Rambusが過去の財務諸表を訂正へ，NASDAQ上場の規定準拠が困難に
米Rambusは，株式ベースの報酬経費計上で誤りがあったとして，発表済みの財務諸表の訂正を申請する。同社が米国時間7月19日に明らかにした。 Rambus取締役会の監査委員会による独自の調査の結果，同社がこれまで付与したストック・オプションの書類上の付与日と実際の付与日に差異があることが判明。株式ベース報酬の経費は，実際の権利確定日までに計上するべきだったとする判断にもとづき，同委員会は，2003，2004，2005年の発表済み財務諸表，および2006年第1四半期のForm 10-Q（四半期報告書）に含まれる財務諸表を訂正報告することを決定した。 現在調査を継続中だが，ストック・オプションの実際の付与日による経費計上，それにともなう財務諸表の訂正報告やその他の業務が実施されれば，「莫大な経費額になる」（Rambus）。 同社はまた，2005年12月31日の時点で財務報告に対する社内統制に大
Freescale、MRAMの製品化を実現
次世代不揮発性メモリのMRAMを初めて製品化したとFreescaleが発表。4Mビットの「MR2A16A」を提供開始した。 米Freescale Semiconductorは7月10日、次世代不揮発性メモリのMRAM（Magnetoresistive Random Access Memory：磁気抵抗メモリ）を初めて製品化し、量産と販売を開始したと発表した。 MRAMは磁気素材と従来型のシリコン回路を組み合わせてSRAM並みの速度とフラッシュメモリのような不揮発性を実現し、高い耐久性を備えたメモリ。 Freescaleの製品「MR2A16A」は同社の特許技術100件以上を使って開発され、容量は4Mビット、読み出し／書き込みサイクル時間は35ナノ秒。ネットワーキング、セキュリティ、データストレージ、ゲーム、プリンタといった多様な製品に適しているという。 同社がこの技術の商用化に成功したことで
東芝がRambusのメモリー・コントローラ技術のライセンスを取得
米Rambusは，東芝にSDRAMとDDR SDRAMメモリー・コントローラの特許をライセンスする契約を締結した。同社が米国時間7月5日に発表した。契約期間および金額は明らかにしていない。 東芝は，これまでにRambusからXDRメモリー，DDR2インタフェース・セル，FlexIOプロセサ・バス・インタフェース技術のライセンスを取得している。また，Advanced Backplane，Fibre Channel，PCI Expressなどのシリアル・リンク・インタフェース設計についてもライセンス契約を結んでいる。 Rambus社Sales，Licensing and Marketing担当上級副社長のSharon Holt氏は，「東芝は，当社にとって最初の特許使用権の取得者である。信頼できるパートナと今後も長い関係を続けていきたい」としている。 ［発表資料へ］
NECと東芝、256Mビット級のMRAM実現に向けた基盤技術を共同開発
印刷する メールで送る テキスト HTML 電子書籍 PDF ダウンロード テキスト 電子書籍 PDF クリップした記事をMyページから読むことができます NECと東芝は6月6日、256MビットクラスのMagnetic Random Access Memory（MRAM）実現に必要な基盤技術を発表した。両社は、共同開発した技術を用いて記憶容量16MビットのMRAMを試作し、256Mビットクラスまで高集積化した場合でも作動することを検証した。 MRAMは、メモリ素子の磁化方向の違いで情報を蓄積するメモリ。電荷で情報を保持する現在の一般的なメモリと違い、無限回数の書き換え耐性や不揮発性といった特徴を備える。MRAMで使う磁気抵抗素子であるMTJ素子は、半導体プロセス終了後に作製可能であり、CMOSデバイスと混載しやすい。MRAMには、1V程度の低いセル動作電圧や、既存メモリよりも高い動作温度と
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Global Viewpoint: 2006年09月 アーカイブ - 米国でBluetoothブーム、ビジネス機会を逃す日本
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