#タグ ASIC DRAM IC ITRS Intel MOSFET MOSトランジスタ MPU TSMC nmプロセス ゲート長 サムスン チャネル トランジスタ ノード ファウンドリー フラッシュメモリ プロセス 半導体 半導体 微細化 集積回路 集積度 半導体技術はムーアの法則に従って、ひたすら集積度を上げる方向でこれまで進化を遂げてきた。集積度を上げるために10µm(ミクロン=1/100mm)時代から始まった集積回路(IC)はひたすら微細化を実現し、今最先端の製品技術は14nm(ナノメーター)の技術までやってきている。しかしトランジスタ構造は3次元になり、どの寸法が14nmなのか不明になってきた。本連載では、第1回目は最小寸法の定義について、第2回は3次元化への道、第3回はさらなる大口径化(450mm)への展望についてお届けする。 最近、新聞やウェブサイトを見ていると、「米国インテ