2006年12月20日のブックマーク (2件)

  • 産総研:有機薄膜太陽電池で世界最高レベルのエネルギー変換効率を達成

    発表・掲載日:2005/01/27 有機薄膜太陽電池で世界最高レベルのエネルギー変換効率を達成 -プラスチックフィルム太陽電池の実現に向けて大きく前進- 有機半導体を用いる有機薄膜太陽電池は、シリコン太陽電池と同様の原理で動作する固体太陽電池であるが、これまではエネルギー変換効率が低かった。 有機p - n接合界面にナノ構造層(i層)を導入し、p-i-n接合型有機薄膜太陽電池を作製、ナノp - n接合を多数形成させることで光の利用効率を改善し、有機薄膜太陽電池において世界最高レベルのエネルギー変換効率4%を達成 軽量フレキシブルなプラスチックフィルム太陽電池の実現を加速 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】(以下「産総研」という) 光技術研究部門【部門長 渡辺 正信】は、有機半導体を用いる有機薄膜太陽電池において、p - n接合界面に有機半導体が分子レベルで3次元的なp

    n-u-ki
    n-u-ki 2006/12/20
    i層を導入する事で変換層を増やした。変換効率は4パーセントを達成。更なる工夫により向上も。
  • MIT、シリコンに代わるトランジスタ技術を発表へ

    マサチューセッツ工科大学(MIT)のエンジニアらは今週、iPodや携帯電話を超える小型電子デバイスの新たな開発につながると期待されるトランジスタ技術の研究結果を公表する計画だ。 MITエンジニアらは、iPod、携帯電話、家電製品などの小型デバイスに不可欠なシリコントランジスタは、サイズとパフォーマンスの面で今後10〜15年以内に壁に突き当たる、との予測を示している。そこで同校などでは、シリコンの伝導速度を確実に上回ることが期待される新しい複合材料の研究が進められている。 InGaAs(インジウムガリウムヒ砒素)はこのような素材の1つで、電子の移動速度がシリコンの数倍に達する。MITのMicrosystems Technology Laboratories(MTL)は先ごろ、最新シリコンデバイスの2.5倍の電流が流れるInGaAs製トランジスタのデモを行っている。このトランジスタの長さは、

    MIT、シリコンに代わるトランジスタ技術を発表へ
    n-u-ki
    n-u-ki 2006/12/20
    もう少し劇的な変化がある様に思ってしまった。