発表・掲載日:2006/08/28 ダイヤモンド半導体で高効率の紫外線発光に成功 -間接遷移型半導体の常識を破る高効率発光を実現- ポイント 間接遷移形半導体であるダイヤモンド半導体pnダイオードを用い、高効率の紫外線発光を実現。 250nm以下の極短波長紫外線発光を、200℃以上の高温下でも動作。 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】(以下「産総研」という)ダイヤモンド研究センター【センター長 藤森 直治】 山崎 聡 主幹研究員と、独立行政法人 科学技術振興機構【理事長 沖村 憲樹】(以下「JST」という)の戦略的創造研究推進事業(CREST)「高密度励起子状態を利用したダイヤモンド紫外線ナノデバイスの開発」プロジェクト(研究代表者:大串 秀世)の牧野 俊晴 研究員らは共同で、波長250nm(ナノメートル:ナノは10億分の1)以下の深紫外線を放射できるダイヤモンドのダイ