東芝、２５６ギガビットの超大容量フラッシュメモリー開発 世界初の３次元４８層プロセスで東芝は４日、記憶容量を２５６ギガビットへと超大容量化した４８層のメモリー半導体「３次元フラッシュメモリー」を世界で初めて開発した、と発表した。９月からサンプル出荷を始め、来年から量産出荷する。 現行製品よりも書き込み速度や書き換え寿命が向上。メモリーカード、スマートフォンなどの小型機器からデータセンター用サーバーのシリコンディスクまで幅広い用途に供給する。 三重県の四日市工場第５製造棟で製造を初め、２０１６年前半に完成予定の新第２製造棟でも製造する予定。 メモリー素子を垂直に積載する３次元メモリーは従来の製造方法よりも記憶容量が大幅に増え、次世代の半導体とされる。情報端末向けに開発競争は激しくなっており、需要も伸びる見通しだ。
