MOSFETはスイッチング素子として使う場合がほとんどです。特に高電流、高電圧ではバイポーラトランジスタより電力損失が少なく使うことが出来ます。 例えば、選択するMOSFET、トランジスタによって単純に比較は出来ませんが 1Aの電流をスイッチングしたとき電力損失はMOSFETは0.1W、バイポーラ トランジスタは0.6Wのもなります。 ここではパワーMOSFET(エンハンスメント型)のスイッチングドライブ方法について説明します。モータの駆動回路で使われるMOSFETのHブリッジ、ハーフブリッジの 基本となる事項です。 パワーMOSFETのスイッチング駆動はNチャンネルMOSFET使うか、PチャンネルMOSFETを使うかによって違います。又、負荷をドレイン側に置くか ソース側に置くかによっても違います。但し、NチャネルMOSFET、PチャンネルMOSFETもゲート、ソース間に電圧を印加して駆