イジング問題をGPUの100倍の速さで解く光チップ
光コンピューティングを手掛ける米の新興企業Lightelligence（ライテリジェンスと発音）が、シリコンフォトニクスアクセラレーターのデモを披露した。一般的なGPU搭載システムに対し、イジングモデルを100倍以上の速さで解くことが可能だという。 光コンピューティングを手掛ける米の新興企業Lightelligence（ライテリジェンスと発音）が、シリコンフォトニクスアクセラレーターのデモを披露した。一般的なGPU搭載システムに対し、イジングモデルを100倍以上の速さで解くことが可能だという。 Lightelligenceのフォトニック算術計算エンジン「Pace」は、約1万2000個のフォトニックデバイスで構成された1GHz動作の統合型オプティカルコンピューティングシステムである。同社が2019年に発表した、100個のフォトニックデバイスで構成されるプロトタイプ「Comet」に比べて、約1
東京大ら、高感度有機半導体ひずみセンサーを開発
東京大学とパイクリスタルの共同研究グループは、大面積で高性能有機半導体単結晶ウエハーの表面上に、二次元電子系を選択的に形成することができるドーピング手法を新たに開発。この手法を用い、感度が従来の約10倍という「有機半導体ひずみセンサー」を実現した。 有機半導体単結晶薄膜をドーパント溶液に浸すだけ 東京大学大学院新領域創成科学研究科の渡邉峻一郎准教授らとパイクリスタルの共同研究グループは2020年12月、大面積で高性能有機半導体単結晶ウエハーの表面上に、二次元電子系を選択的に形成することができるドーピング手法を新たに開発したと発表した。この手法を用い、感度が従来の約10倍という「有機半導体ひずみセンサー」を実現した。 研究グループはこれまで、独自構造の有機半導体と印刷技術を組み合わせて、大面積の有機半導体分子からなる単結晶薄膜の大規模製造を可能にしてきた。移動度も10cm2/Vs以上を達成し
リチウムイオン電池の充電過程を原子レベルで解明
東京大学は、走査透過型電子顕微鏡（STEM）を用い、次世代リチウムイオン電池の充電過程を原子レベルで解明することに成功した。高容量で寿命が長い電池材料の開発につながる研究成果とみられている。 劣化の主な原因は酸素放出や局所構造の乱れ 東京大学大学院工学系研究科附属総合研究機構の幾原雄一教授と柴田直哉教授、石川亮特任准教授および、仲山啓特任研究員のグループは2020年9月、走査透過型電子顕微鏡（STEM）を用い、次世代リチウムイオン電池の充電過程を原子レベルで解明することに成功したと発表した。今回の成果は、高容量で寿命が長い電池材料の開発につながるとみられている。 次世代の高容量リチウムイオン電池の正極材料として、Li2MnO3など「リチウム過剰系」が注目されている。従来材料のLiCoO2などに比べ、リチウムイオンを約1.6倍も多く含んでいるからだ。しかも、3次元的にリチウムの脱挿入が可能で
東北大学ら、GaN単結晶基板の新たな量産法を開発
東北大学は、日本製鋼所や三菱ケミカルと協力し、直径2インチ以上で品質が高い窒化ガリウム（GaN）単結晶基板の量産を可能にする新たな結晶作製法を開発した。 4インチを超える大口径GaN基板を目指す 東北大学多元物質科学研究所の秩父重英教授らは2020年6月、日本製鋼所や三菱ケミカルと協力し、直径2インチ以上で品質が高い窒化ガリウム（GaN）単結晶基板の量産を可能にする新たな結晶作製法を開発したと発表した。高出力で高周波動作が可能な縦型パワートランジスタへの応用が期待される。 GaNは、電力制御を行うパワートランジスタの半導体材料として注目されている。広い禁制帯幅や高い絶縁破壊電界、速い飽和電子速度といった物性を有しているためだ。ところが、高品質のGaN単結晶基板は製造方法が難しく、材料コストが高価となるため、本格実用化に向けて大きな課題となっている。 GaN単結晶の代表的な成長方法としては、
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