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  EUV露光装置導入に高圧ガス保安法が障壁、広島県は規制緩和を国に要望

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  • テクノロジー
  • 2022/11/25

  Micron Technologyは、広島工場で生産が始まった1β DRAMではEUV露光技術の採用を見送り、技術が確立しており高歩留りが期待できるArF液浸リソグラフィを用いたマルチパターニングの技術を採用しているが、2024年以降の立ち上げを予定している1γ(あるいは1Δの可能性も)DRAMについては、EUVリソグラフィ技術を導入する可能性が高い。しかし、ASMLが独占供給するEUV露光装置は、PPL(Plasma-Produced Laser)方式の光源を採用しており、高圧状態のSn(スズ)タンクからSn液滴を落下させそこにレーザー照射するわけだが、この加圧スズタンクが日本では高圧ガス保安法の適用対象とされ、輸入や使用に関して厳しく規制されることが予想される。日本では、光源出力に限界が見えてきたPLL方式にかわり、巨大加速器を用いたFEL(Free Electron Laser)方式