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カンファレンス会期:2月9日~11日(現地時間) 会場:米国カリフォルニア州サンフランシスコ市 San Francisco Marriott Hotel 半導体回路技術に関する世界最大の国際学会ISSCCが11日、無事に閉幕した。本レポートでは、次世代不揮発性メモリに関する開発成果の講演概要をお届けする。 ●1.6GB/sec、128Mbitの強誘電体メモリ 東芝は、1.6GB/secと極めて高速にデータを入出力でき、128Mbitと大きな記憶容量を備えた強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)を開発した(H. Shigaほか、講演番号27.5)。DDR2インタフェースを備えており、400MHzのクロックに対して入出力ピン当たり800Mbpsの速度でデータをやり取りする。入出力バスは×16bit構成なので、メモリ全体でのデータ転送速度は1.6GB/secとなる。 試作したメモリのダイサイズは8
カンファレンス会期:2月9日~11日(現地時間) 会場:米国カリフォルニア州サンフランシスコ Marriott Hotel 半導体回路技術に関する世界最大の国際会議「ISSCC 2009」のメインイベントであるカンファレンスが、米国時間2月9日に始まった。 9日の午前はカンファレンスの開催に先立ち「Formal Opening of the Conference」と題した15分ほどのセッションがあり、ISSCC 2009の開催規模を実行委員会が紹介した。 ISSCCの参加者は非常に多く、最近では3,000名を超える。投稿論文数は582件、採択論文(発表論文)数は203件で、採択率は34.9%である。投稿論文の数はここ3年ほど(2006年~2008年)は600件を超えていたので、今回はやや少ない。採択率は前年(36.1%)とほぼ同じである。相変わらずの狭き門と言える。 採択論文を地域別にみる
カンファレンス会期:2月9日~11日(米国時間) 会場:米国カリフォルニア州サンフランシスコ Marriott Hotel 大規模半導体集積回路(LSI)に関する世界最大の国際会議、ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)が、米国カリフォルニア州サンフランシスコで8日(現地時間)に始まった。ISSCCはプロセッサやメモリ、トランシーバ、チューナなどの最新開発成果を半導体ベンダーや研究機関、大学などの技術者が発表する場である。今回は、582件の投稿の中から選ばれた203件の開発成果が披露される。 今年のISSCC(ISSCC 2009)では、2月8日と12日がセミナー開催日、2月9~11日がメインイベントとなるカンファレンスの開催日である。本レポートでは、カンファレンスで発表予定の注目講演を紹介する。 ●2月9日:8コアのx86
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