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【ISSCC 2009レポート】最高速度と最大容量を競う次世代不揮発性メモリ
カンファレンス会期：2月9日～11日(現地時間) 会場：米国カリフォルニア州サンフランシスコ市 San Franc... カンファレンス会期：2月9日～11日(現地時間) 会場：米国カリフォルニア州サンフランシスコ市 San Francisco Marriott Hotel 半導体回路技術に関する世界最大の国際学会ISSCCが11日、無事に閉幕した。本レポートでは、次世代不揮発性メモリに関する開発成果の講演概要をお届けする。 ●1.6GB/sec、128Mbitの強誘電体メモリ 東芝は、1.6GB/secと極めて高速にデータを入出力でき、128Mbitと大きな記憶容量を備えた強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)を開発した(H. Shigaほか、講演番号27.5)。DDR2インタフェースを備えており、400MHzのクロックに対して入出力ピン当たり800Mbpsの速度でデータをやり取りする。入出力バスは×16bit構成なので、メモリ全体でのデータ転送速度は1.6GB/secとなる。 試作したメモリのダイサイズは8
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