米Intelと米Micron Technologyは2015年7月28日(米国時間)、新方式の不揮発性メモリーである「3D XPoint」(写真1)を発表した。現在主流の不揮発性メモリーである「NAND」方式のフラッシュメモリーに比べて1000倍高速で、DRAMよりも記録密度が10倍高いとしている。 現在様々なメモリーメーカーが、DRAM並みに高速でありながら、フラッシュメモリー同様に電源をオフにしてもデータが消えないという「不揮発性」を持つ新世代不揮発性メモリーの開発を進めている(関連記事:“第3のメモリー”の衝撃、ストレージとDBが一変する)。今回、IntelとMicronが発表した3D XPointも、そのような新世代不揮発性メモリーの一つと位置付けられる。両社は3D XPointの用途として、機械学習やストリーミング処理などを挙げている。2015年内にサンプル出荷を開始し、両社がそ
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