[B! FlashMemory] shigiryouのブックマーク

東芝、岩手県北上市にメモリ新工場建設へ

東芝は2017年9月6日、NAND型フラッシュメモリの新製造拠点を岩手県北上市に建設する予定であると発表した。一度凍結された北上市への進出を決定東芝は2017年9月6日、子会社でNAND型フラッシュメモリ事業を展開する東芝メモリ（以下、TMC）の新製造拠点を岩手県北上市に建設する予定であると発表した。2018年の工場建設着手を目標に、準備作業を行うという。新製造拠点を設置するのは、岩手県北上市の北上工業団地地区。同地区には東芝の子会社で、システムLSIの製造を行うジャパンセミコンダクターの拠点がある。東芝は2008年2月にも、北上市にNANDフラッシュ工場を新設するとの計画を発表していたが不況の影響で凍結、中止していた。東芝は今回、新製造拠点の立地場所として北上市を選んだ理由として「進出可能時期や優秀な人材確保等の観点から総合的に評価し、決定した」としている。 SanDiskによる投

shigiryou 2017/09/07

リンク

東芝、1チップ1TBを実現したTSV技術採用フラッシュメモリ「BiCS FLASH」

shigiryou 2017/07/11

リンク

SanDiskが語る、半導体不揮発性メモリの開発史

SanDiskが語る、半導体不揮発性メモリの開発史：福田昭のストレージ通信（42）抵抗変化メモリの開発動向（1）（1/2 ページ）今回からは、国際学会で語られたSanDiskの抵抗変化メモリ（ReRAM）の研究開発動向について紹介していく。まずは、約60年に及ぶ「不揮発性メモリの歴史」を振り返る。ストレージ・クラス・メモリを実現する次世代半導体メモリ技術前回までは、半導体メモリの研究開発に関する国際学会「国際メモリワークショップ（IMW:International Memory Workshop）」のショートコース（2016年5月15日）から、Micron Techno logyの講演概要をご報告した。今回以降は、SanDiskによる抵抗変化メモリ（ReRAM）の研究開発動向に関する講演概要をご紹介する。講演者はスタッフエンジニアのYangyin CHEN氏、講演タイトルは「ReRA

shigiryou 2016/10/28

リンク

How Flash Memory Works

shigiryou 2016/08/17

リンク

メモリ・アーキテクチャの基礎

メモリ・アーキテクチャの基礎：福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待（4）（1/2 ページ） NANDフラッシュメモリが新しい階層を生み出した国際会議「IEDM」のショートコースで英国ARM ReserchのエンジニアRob Aitken氏が、「System Requirements for Memories（システムがメモリに要望する事柄）」と題して講演した内容を紹介するシリーズの第4回である。前回からは、講演の第2パートである「CPUのメモリに対する要求」の概要をご報告している。前回は、CPUアーキテクチャの変遷を振り返るとともに、NANDフラッシュメモリが登場する以前のメモリ・アーキテクチャを説明した。既に述べたように、CPUを搭載したシステムのメモリ・アーキテクチャは、正三角形あるいはピラミッド形をした図形と、水平な階層を垂直方向に積み重ねた構造で説明す

shigiryou 2016/02/28

FlashMemory

リンク

インテルとマイクロン、384Gビット容量の3D NANDを発表――年内量産へ

インテルとマイクロン、384Gビット容量の3D NANDを発表――年内量産へ：容量はサムスン、東芝の3倍！インテルとマイクロンテクノロジーは2015年3月26日（米国時間）、1ダイで384Gビット容量を実現した3次元積層構造を用いたNAND型フラッシュメモリ（以下、3D NAND）を共同開発したと発表した。 32層構造インテルとマイクロンテクノロジーは2015年3月26日（米国時間）、1ダイで384Gビット容量を実現した3次元積層構造を用いたNAND型フラッシュメモリ（以下、3D NAND）を共同開発したと発表した。同日、256Gビット品のサンプル出荷を開始し、2015年夏までに384Gビット容量品のサンプル出荷を開始するという。量産は2015年内を予定している。開発した3D NANDは、メモリセルを垂直方向に32層、重ねた構造を採用。セル当たり2ビットのデータを記憶するMLC（

shigiryou 2015/03/28

リンク

東芝、四日市工場新建屋の建設を開始――早ければ2014年夏稼働へ

東芝は2013年8月23日、NAND型フラッシュメモリ（以下、NANDメモリ）の製造拠点である四日市工場の第5製造棟第2期分建屋の建設開始を発表した。建屋完成は、2014年夏を予定している。東芝は2013年8月23日、NAND型フラッシュメモリ（以下、NANDメモリ）の製造拠点である四日市工場の第5製造棟第2期分建屋の建設開始を発表した。建屋完成は、2014年夏を予定している。建設を開始した四日市工場第5製造棟第2期建屋は、2011年3月に完成し、同年7月から稼働を開始している第5製造棟第1期分に続くもの。「NANDメモリの次世代プロセス品や3次元構造品の生産スペースを確保することを目的に建設する」（東芝）としている。同棟第2期分建屋の建設は、2013年7月に決定し、公表していた（関連記事：東芝が四日市第5棟第2期着工へ、2014年以降のスマホ/SSD向けNAND需要増に対応）。建設

shigiryou 2013/08/24

リンク