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インテルでは、データセンターのワークロードからエンスージアスト向け用途まで、あらゆるレベルのコンピューティングを支える高度なテクノロジーを備えた製品を提供しています。インテルのストレージ・ソリューションは、卓越したストレージ・パフォーマンスを実現し、データの整合性を確保。負荷の高いワークロード向けに、コスト効率が高くスケーブルなソリューションを提供します。最新のインテル® Xeon® スケーラブル・プロセッサー・テクノロジー上に構築されたインテルの製品ポートフォリオは、データ保護、卓越したパフォーマンス、IT 運用の簡素化を求める OEM やエンドユーザー向けにエンタープライズ・レベルのストレージ・ソリューションを提供しています。
平澤寿康の周辺機器レビュー
■平澤寿康の周辺機器レビュー■ 第16回 OCZ 高速SSD「Vertex」シリーズ ～新コントローラとキャッシュでプチフリを解消 MLCフラッシュを採用した低価格なSSDを数多く送り出しているOCZから、新たなMLC SSD「Vertex」シリーズが登場した。コントローラが変更されるとともに、64MBのキャッシュメモリを搭載する点が大きな特徴だ。従来製品で問題視されていた、ランダムアクセスが頻発した際の速度低下が解消されていると期待している。今回、このVertexシリーズの120GBモデルを入手したので、この件を含めてパフォーマンスをチェックする。 ●INDILINX製コントローラを搭載 ・分解/改造を行なった場合、メーカーの保証は受けられなくなります。 ・この記事を読んで行なった行為(分解など)によって、生じた損害は筆者および、PC Watch編集部、メーカー、購入したショップもその責
産総研：強誘電体NANDフラッシュメモリーで書き換え回数従来比１万倍を実証
従来のNANDフラッシュメモリーのメモリーセルの書き換え回数が1万回、書き込み電圧が約20Vであるのに対して、今回作製したメモリーセルは書き換え回数1億回以上、書き込み電圧６V以下。 このメモリーセルは、従来のフラッシュメモリーでは難しかった20nm、10nm技術世代の高密度大容量不揮発メモリーの実現を可能にする。 従来のハードディスクの代替としての適用にも期待。 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）エレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】フロンティアデバイスグループ 酒井 滋樹 研究グループ長らは、国立大学法人 東京大学（以下「東京大学」という）大学院 工学系研究科 竹内 健 准教授と共同で、強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)をメモリーセルとして用いるとNANDフラッシュメモリーの性能が著しく向上することを実証した。セルレ
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DOS/V POWER REPORT | Impress Japan
【元麻布春男の週刊PCホットライン】 SSDの寿命
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