共同発表：トランジスターの理論限界を突破 次世代省エネデバイス実現へ
平成２４年６月１３日 科学技術振興機構（ＪＳＴ） Tel：03-5214-8404（広報課） 北海道大学 Tel：011-706-2610（広報課） ポイント スイッチング特性の良さを示すサブスレッショルド係数で世界最小の２１ｍＶ／桁を達成 現在の半導体集積回路に比べ回路全体で消費電力を１０分の１以下に低減が可能 デジタル家電の待機電力を大幅カット、モバイル機器電池の消耗を半分に低減する夢の省エネデバイスへ道 ＪＳＴ 課題達成型基礎研究の一環として、ＪＳＴ さきがけ専任研究者の冨岡 克広、北海道大学 大学院情報科学研究科の福井 孝志 教授らは、半導体中のトンネル効果注１）を用いることで、従来のトランジスター（電子の流れを電圧で制御してオンオフするスイッチ素子）の理論限界を大きく下回る低消費電力トランジスターの開発に成功しました。この素子はあらゆる電子機器の省エネルギー技術へ応用できます。
産総研、高性能歪みゲルマニウムナノワイヤトランジスタを開発
産業技術総合研究所(産総研)は6月11日、高性能歪みゲルマニウム(Ge)ナノワイヤトランジスタを開発したと発表した。同成果はナノエレクトロニクス研究部門 研究部門長 金丸正剛氏、連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター 連携研究体長 横山直樹氏、特定集中研究専門員 池田圭司氏らによるもの。 今回、開発に参画した連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター(GNC)は、内閣府と日本学術振興会によって運営される先端研究開発支援プログラム(FIRST)に採択されたプロジェクトを実施するために2010年4月に設立された。富士通研究所、東芝、日立製作所、ルネサスエレクトロニクス、アルバックからの出向研究者と産総研の研究者によって構成されている。GNCでは2011年度より、LSIの低電圧動作を目指して、Ge立体チャネル構造トランジスタの高性能化に関する研究開発を行ってきた。今回の成果は、F
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