産業技術総合研究所(産総研) 電子光技術研究部門 強相関エレクトロニクスグループ 澤彰仁 研究グループ長、山田浩之 主任研究員、鶴巻厚 産総研特別研究員らの研究グループは、導電性を持つ酸化物強誘電体を用いて新しい酸化物抵抗変化メモリ(Resistance Random Access Memory: ReRAM)を開発したことを発表した。同成果は、ドイツの科学誌「Advanced Functional Materials」のオンライン版でも発表される。 ReRAMは、構造が単純なため素子の面積を小さくできる他、電気抵抗の変化が大きく複数の電気抵抗値に設定できるため多くの値を記憶できる。これらの特長から、次世代の高密度不揮発性メモリとして期待されている。 従来のReRAMは酸化物の酸化還元反応、あるいは酸化物中の酸素欠陥の移動を利用しているが、今回開発したReRAMでは酸化物強誘電体の電気分極