LAND、eBoost技術がクラス最高のフラッシュメモリ耐久性を実現
LinkAMedia Devices(LAMD)は、独自技術「eBoost」第2世代を採用したソリッドステートドライブ(SSD)の耐久性測定値を発表した。高度なチャネル予測技法を駆使したeBoostの適応型アルゴリズムにより、高いパフォーマンスを維持しながら、耐久性の飛躍的な向上を実現した。 第三者機関による測定値によると、eBoost技術を搭載した「LAMD FlashLINK」プラットフォームソリューションは、極限のSPC-1C作業負荷をかけた状態で、高いパフォーマンスと最小クラスの待ち時間を実現したという。JEDECに準拠した、エンタープライズクラスMLC NANDフラッシュメモリ向けテスト手法による測定で、eBoost技術を搭載したSSDは、9万回の書き換えサイクルを達成した。 これにより、クリティカルなスループット、レスポンスタイム、耐久性が要求されるトランザクション処理や高性能
SATAに新たな待機モード「DevSleep」が登場、低電力かつ早期復帰だが専用信号線が必要
Serial ATA International Organization (SATA-IO)は、SATAの新たな待機モードとして「SATA DevSleep」を発表した。既存の待機モードに比べてホスト側デバイス側とも消費電力を大幅に低減させ、復帰時間もそれほど長くない。ただし、新モードへの移行/復帰を伝える専用信号線が必要になる。
フラッシュメモリ微細化の限界に挑戦するメーカーの取り組み
前編の「NAND型フラッシュメモリの次を見据えるメーカーの思惑」に続き、NAND型フラッシュメモリの後継技術として関心が高まる、相変化メモリ（PCM）や磁気メモリ（MRAM）、抵抗変化型メモリ（RRAM）の3つの技術の最新動向を紹介する。これらの新技術は、過去2年間でブレークスルーが起き、性能と耐久性の両面で今後の飛躍が期待されている。 米Intelの不揮発性メモリソリューショングループの製品マーケティングディレクター、トロイ・ウィンスロー氏によると、Intelではスタック型PCMの一種で相変化メモリ＆スイッチ（PCMS）と呼ばれる技術が、企業向けシステムとしてMRAMよりも有望だと考えているようだ。PCMSはOvonic Threshold Switchで層化されたPCMエレメントで構成される。 IntelとNumonyxは2009年、64Mビットのテストチップで1個のダイ内に複数のPC
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