TSMCとSamsungのEUV争奪戦の行方 ～“逆転劇”はあり得るか？1997年から本格的な開発が始まった最先端EUV（極端紫外線）露光装置（以下、EUV）は、20年以上の歳月を経て2018年第3四半期頃に離陸し、2019年にTSMCが孔系にEUVを適用した7nm＋プロセス（以下、プロセスは省略）による量産に漕ぎつけ、ことし2020年には配線にもEUVを使う5nmによる大量生産が実現している。 筆者が2007年に初めて参加したリソグラフィの国際学会SPIEでは、EUVの開発があまりにも難しいため、図1のようなスライドを使ってその困難さを説明した発表があった。 図1：2007年2月、リソグラフィの国際学会SPIEにて 出典：EUVの画像はAnthony Yen, ASML, “EUV Lithography and Its Application to Logic and Memory Devices”, VLSI 2020, SC1.5より引用（クリックで拡
