2009年2月26日 英国科学誌「ネイチャー」誌への研究成果 「空間電荷効果によって引き起こされるシリコンの巨大な正の磁気抵抗効果」 小林 研介 准教授、小野 輝男 教授、葛西 伸哉 助教、大学院生マイケル・デルモ氏(以上、京都大学化学研究所)と、山本 真平 助教(京都大学物質-細胞統合システム拠点)からなる研究グループは、空間電荷効果によってシリコン(ケイ素)に巨大な正の磁気抵抗効果を発現させることに成功しました。半導体産業の主役であるシリコンにおいて顕著な磁気抵抗効果が発見されたことは、応用上の観点からも特筆すべきことです。 この成果は2009年2月26日発行の英国科学誌「ネイチャー」誌に掲載されることになりました。 研究成果の概要 磁気抵抗効果とは物質の電気抵抗が磁場中で変化する現象のことです。その研究は100年以上もの長い歴史を持つだけでなく、ハードディスクの読み取り装置や磁気セ
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